SMBJ7.0CAHE3/2C

SMBJ7.0CAHE3/2C datasheet скачать даташит

Сообщить об ошибке

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

Маркировка

SMBJ7.0CAHE3/2C
Производитель

Vishay Semiconductors
Описание

Vishay Semiconductors SMBJ7.0CAHE3/2C Breakdown Voltage: 7.78 V Channels: 1 Channel Clamping Voltage: 12 V Dimensions: 3.94(Max) mm W x 4.57(Max) mm L Factory Pack Quantity: 750 Maximum Operating Temperature: + 150 C Minimum Operating Temperature: - 55 C Operating Voltage: 7 V Package / Case: DO-214AA Peak Pulse Power Dissipation: 600 W Peak Surge Current: 100 A Polarity: Bidirectional Product Category: TVS Diodes - Transient Voltage Suppressors Rohs: yes Termination Style: SMD/SMT Tradename: TRANSZORB
Количество страниц

5 шт.
Формат

PDF
(Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
Размер файла

108,96 KB

SMBJ7.0CAHE3/2C datasheet скачать

SMBJ7.0CAHE3/2C datasheet

Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Сообщить об ошибке

Новости электроники

<p>Zhejiang Geely Holding Group внедрила SiC MOSFET-чипы 4-го поколения от компании ROHM Co. Ltd в тяговые инверторы трёх моделей бренда электромобилей ZEEKR. Эти силовые модули на базе карбида кремния (SiC), которые являются ключевыми для улучшения производительности электромобилей, с 2023 года находятся в серийном производстве. Производятся они компанией Haimosic (Shanghai) Co. Ltd — совместным предприятием ROHM и Zhenghai Group Co. Ltd — и поставляются Viridi E-Mobility Technology (Ningbo) Co. Ltd, основному поставщику электромобилей Geely.</p>

Geely интегрирует SiC MOSFET-чипы 4-го поколения ROHM в электромобили ZEEKR

03.10.2024

<p>По мере того как вычисления, связанные с ИИ, продолжают развиваться как в облачных, так и в периферийных средах, спрос на более быстрые и ёмкие решения для хранения данных значительно вырастет в ближайшие два десятилетия. Технология NAND FLASH, являющаяся основой экономичных и высокоплотных систем хранения данных, уже революционизировала множество отраслей, начиная от USB-накопителей и заканчивая крупномасштабными серверами. Промышленность перешла от 2D NAND к 3D NAND, которая стала доминирующей технологией памяти с момента её коммерческого дебюта в 2013-2014 годах.</p>

Новые технологии оборудования станут ключевыми для масштабирования до 1000-слойной 3D NAND в эпоху ИИ

02.10.2024

<p>Компания Silicon Laboratories Inc. (Silicon Labs) представила новую функцию Bluetooth Channel Sounding на платформе xG24, которая значительно улучшает точность и безопасность определения расстояний для устройств с Bluetooth Low Energy (LE). Эта инновационная технология позволяет выполнять более точные и безопасные измерения расстояний между подключенными устройствами, что открывает широкие возможности для различных приложений, связанных с близостью и локализацией.</p>

Silicon Labs улучшает точность и безопасность определения расстояния Bluetooth-устройств

01.10.2024

Еще новости

Золотая осень в ТМ Электроникс

Электрофорум - Темы электроснабжение, защита, заземление, автоматика, электроника и другое.

Электрофорум

Темы электроснабжение, защита, заземление, автоматика, электроника и другое.

electroforum.su

Разместить объявление

Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.