C5750X7R2E105K230KE
![](/img-new/pdf.png)
C5750X7R2E105K230KE datasheet
-
МаркировкаC5750X7R2E105K230KE
-
ПроизводительTDK Corporation
-
ОписаниеTDK Corporation C5750X7R2E105K230KE RoHS: yes Capacitance: 1 uF Tolerance: 10 % Voltage Rating: 250 V Temperature Coefficient / Code: X7R Case Code - in: 2220 Case Code - mm: 5750 Operating Temperature Range: - 55 C to + 125 C Product: General Type MLCCs Capacitance - nF: 1000 nF Dimensions: 5 mm W x 5.7 mm L x 2.3 mm H Package / Case: 2220 (5750 metric) Series: C Termination Style: SMD/SMT
-
Количество страниц1 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
![<p>Компания Alif Semiconductor представила Ensemble E1C, новую серию микроконтроллеров (MCU) в семействе Ensemble, предназначенную для сочетания надежных цифровых и аналоговых функций с маломощным блоком нейронной обработки (NPU) в компактном корпусе.</p> <p>Компания Alif Semiconductor представила Ensemble E1C, новую серию микроконтроллеров (MCU) в семействе Ensemble, предназначенную для сочетания надежных цифровых и аналоговых функций с маломощным блоком нейронной обработки (NPU) в компактном корпусе.</p>](/images/cache/784e57b3399cc0696f685b3883cd210e.jpg)
24.08.2024
![<p>В условиях роста высокопроизводительных вычислений, вызванного широким внедрением искусственного интеллекта (ИИ) в различные вычислительные системы, центры обработки данных и пограничные устройства, растет спрос на энергоэффективные компоненты.</p> <p>В условиях роста высокопроизводительных вычислений, вызванного широким внедрением искусственного интеллекта (ИИ) в различные вычислительные системы, центры обработки данных и пограничные устройства, растет спрос на энергоэффективные компоненты.</p>](/images/cache/8b5f1c13ce9fd0617a2a53e7394dc0f0.jpg)
23.08.2024
![<p>Компания Cambridge GaN Devices (CGD) представила два новых корпуса для серии ICeGaN силовых ИС на основе нитрида галлия (GaN), разработанных для улучшения тепловых характеристик и упрощения процессов проверки. Эти корпуса, являющиеся разновидностями надежных корпусов типа DFN, отличаются повышенной прочностью и надежностью.</p> <p>Компания Cambridge GaN Devices (CGD) представила два новых корпуса для серии ICeGaN силовых ИС на основе нитрида галлия (GaN), разработанных для улучшения тепловых характеристик и упрощения процессов проверки. Эти корпуса, являющиеся разновидностями надежных корпусов типа DFN, отличаются повышенной прочностью и надежностью.</p>](/images/cache/8a2cc64274023d12d1e64370f9be6525.jpg)
22.08.2024