STP10NM60ND datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  STP10NM60ND
• Производитель
  STMicroelectronics
• Описание
  STMicroelectronics STP10NM60ND Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 25 V Continuous Drain Current: 8 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.6 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220 Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 70 W
• Количество страниц
  19 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  379,33 KB

STP10NM60ND datasheet скачать

STP10NM60ND datasheet