STP10NM60ND datasheet

 Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ


  • Маркировка
    STP10NM60ND
  • Производитель
  • Описание
    STMicroelectronics STP10NM60ND Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 25 V Continuous Drain Current: 8 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.6 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220 Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 70 W
  • Количество страниц
    19 шт.
  • Форматы файла
    HTML, PDF
    (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
 Скачать datasheet STP10NM60ND.pdf
Файл формата Pdf 379,33 KB
Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Где можно купить





Новости электроники

Еще новости

Экспресс доставка электронных компонентов - Оптовые поставки с онлайн складов и складов производителей.
Оптовые поставки с онлайн складов и складов производителей.
Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.