RSE002N06TL
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
RSE002N06TL datasheet
-
МаркировкаRSE002N06TL
-
ПроизводительRohm
-
ОписаниеRohm RSE002N06TL Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 250 mA Rds On: 1.7 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: EMT3 Brand: ROHM Semiconductor Fall Time: 28 ns Forward Transconductance - Min: 0.25 S Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 150 mW Rise Time: 5 ns Factory Pack Quantity: 3000 Typical Turn-Off Delay Time: 18 ns
-
Количество страниц6 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
22.09.2024
21.09.2024
20.09.2024