HEF4013BP,652
![](/img-new/pdf.png)
HEF4013BP,652 datasheet
-
МаркировкаHEF4013BP,652
-
ПроизводительNXP Semiconductors
-
ОписаниеNXP Semiconductors HEF4013BP,652 Clock-edge Trigger Type: Positive-Edge Current - Output High, Low: 3.4mA, 3.4mA Delay Time - Propagation: - Frequency (max): 40MHz Frequency - Clock: 40MHz Function: Set(Preset) and Reset High Level Output Current: - 4.2 mA ID_COMPONENTS: 1954370 Input Type: Single-Ended Lead Free Status / Rohs Status: Compliant Logic Family: HE4000B Logic Type: D-Type Flip-Flop Low Level Output Current: 4.2 mA Maximum Operating Temperature: + 85 C Minimum Operating Temperature: - 40 C Mounting: Through Hole Mounting Style: SMD/SMT Mounting Type: Through Hole Number Of Elements: 2 Number Of Bits: 2 Number Of Bits Per Element: 1 Number Of Circuits: 2 Number Of Elements: 2 Operating Supply Voltage (max): 15V Operating Supply Voltage (min): 3V Operating Supply Voltage (typ): 3.3/5/9/12V Operating Temp Range: -40C to 125C Operating Temperature: -40?°C ~ 125?°C Operating Temperature Classification: Automotive Output Type: Differential Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Package Type: DIP Pin Count: 14 Polarity: Inverting/Non-Inverting Propagation Delay Time: 90 ns Series: 4000B Supply Voltage (max): 15 V Supply Voltage (min): 3 V Technology: CMOS Trigger Type: Positive Edge Type: D-Type Voltage - Supply: 3 V ~ 15 V Other Names: 568-1684-5, 933277610652, HEF4013BPN
-
Количество страниц13 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
![<p>Компания Micron Technology Inc. объявила о начале поставок своей NAND флэш-памяти девятого поколения (G9), которая устанавливает новый стандарт в отрасли хранения данных. NAND G9 от Micron, теперь интегрированная в твердотельные накопители, достигает беспрецедентного уровня производительности, обеспечивая самую высокую скорость передачи данных в отрасли — 3,6 ГБ/с. Это достижение укрепляет позиции компании Micron как лидера в технологии NAND, обеспечивая значительное повышение производительности и эффективности для широкого спектра приложений.</p> <p>Компания Micron Technology Inc. объявила о начале поставок своей NAND флэш-памяти девятого поколения (G9), которая устанавливает новый стандарт в отрасли хранения данных. NAND G9 от Micron, теперь интегрированная в твердотельные накопители, достигает беспрецедентного уровня производительности, обеспечивая самую высокую скорость передачи данных в отрасли — 3,6 ГБ/с. Это достижение укрепляет позиции компании Micron как лидера в технологии NAND, обеспечивая значительное повышение производительности и эффективности для широкого спектра приложений.</p>](/images/cache/1645995a8060240112305bc57eec0e13.jpg)
05.09.2024
![<p>Компания STMicroelectronics представила VL53L4ED, новое дополнение к линейке времяпролетных (ToF) датчиков, которое отличается расширенным диапазоном рабочих температур от -40°C до 105°C. Это делает датчик идеальным для применения в жестких условиях, таких как промышленные инструменты, оборудование "умных" фабрик, системы управления роботами, системы управления наружным освещением и системы безопасности, где экстремальные условия являются обычным делом.</p> <p>Компания STMicroelectronics представила VL53L4ED, новое дополнение к линейке времяпролетных (ToF) датчиков, которое отличается расширенным диапазоном рабочих температур от -40°C до 105°C. Это делает датчик идеальным для применения в жестких условиях, таких как промышленные инструменты, оборудование "умных" фабрик, системы управления роботами, системы управления наружным освещением и системы безопасности, где экстремальные условия являются обычным делом.</p>](/images/cache/d811e4b36ef7380db0c06e7150fbb656.jpg)
04.09.2024
![<p>Недавние обновления стандарта DDR5 SDRAM, проведённые Ассоциацией твердотельных технологий JEDEC, значительно повысили безопасность, надёжность и возможности управления питанием памяти. Компания Rambus также интегрировала в модули DDR5 DIMM усовершенствованные функции управления питанием, что стало особенно актуально на фоне растущих нагрузок в области искусственного интеллекта (ИИ) и повышенных требований к вычислительной мощности.</p> <p>Недавние обновления стандарта DDR5 SDRAM, проведённые Ассоциацией твердотельных технологий JEDEC, значительно повысили безопасность, надёжность и возможности управления питанием памяти. Компания Rambus также интегрировала в модули DDR5 DIMM усовершенствованные функции управления питанием, что стало особенно актуально на фоне растущих нагрузок в области искусственного интеллекта (ИИ) и повышенных требований к вычислительной мощности.</p>](/images/cache/9ca198926f8e58e8c8a83e4d0e144143.jpg)
03.09.2024