BUK95180-100A,127
![](/img-new/pdf.png)
BUK95180-100A,127 datasheet
-
МаркировкаBUK95180-100A,127
-
ПроизводительNXP Semiconductors
-
ОписаниеNXP Semiconductors BUK95180-100A,127 Configuration: Single Dual Drain Continuous Drain Current: 11 A Current - Continuous Drain (id) @ 25?° C: 11A Drain To Source Voltage (vdss): 100V Drain-source Breakdown Voltage: 100 V Fet Feature: Standard Fet Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide Gate Charge (qg) @ Vgs: - Gate-source Breakdown Voltage: 15 V ID_COMPONENTS: 1950543 Input Capacitance (ciss) @ Vds: 619pF @ 25V Lead Free Status / Rohs Status: Lead free / RoHS Compliant Maximum Operating Temperature: + 175 C Minimum Operating Temperature: - 55 C Mounting Style: SMD/SMT Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220AB-3 Power - Max: 54W Power Dissipation: 54000 mW Rds On (max) @ Id, Vgs: 173 mOhm @ 5A, 10V Resistance Drain-source Rds (on): 0.173 Ohm @ 10 V Series: TrenchMOS?„? Transistor Polarity: N-Channel Vgs(th) (max) @ Id: 2V @ 1mA Product Category: MOSFET RoHS: yes Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V Gate-Source Breakdown Voltage: 15 V Resistance Drain-Source RDS (on): 0.173 Ohms Fall Time: 25 ns Rise Time: 112 ns Factory Pack Quantity: 50 Typical Turn-Off Delay Time: 18 ns Part # Aliases: BUK95180-100A Other Names: 934056120127, BUK95180-100A
-
Количество страниц13 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
![<p>Современный рынок требует все более емкую и быструю полупроводниковую оперативную память. Удовлетворить спрос на подобную продукция взялась Microchip Technology. Компания расширила ассортимент статической памяти с произвольным доступом (SRAM, static random access memory), оснастив ее устройствами большей плотности (до 4 Мб). Кроме того, до 143 МГц увеличена скорость интерфейса Serial Peripheral Interface/Serial Quad I/O™ Interface (SPI/SQI™).</p> <p>Современный рынок требует все более емкую и быструю полупроводниковую оперативную память. Удовлетворить спрос на подобную продукция взялась Microchip Technology. Компания расширила ассортимент статической памяти с произвольным доступом (SRAM, static random access memory), оснастив ее устройствами большей плотности (до 4 Мб). Кроме того, до 143 МГц увеличена скорость интерфейса Serial Peripheral Interface/Serial Quad I/O™ Interface (SPI/SQI™).</p>](/images/cache/eaf3ac1fb27be3d9679df4a6a86eb102.jpg)
31.07.2024
![<p>Один из крупнейших производителей процессоров, американская компания AMD, презентовала новое поколение чипов Versal. Изделия предназначены для ускорения встраиваемых систем с искусственным интеллектом. По сравнению с продукцией предыдущего поколения, производительность новой серии адаптивных SoC Versal Series Gen 2 на 1 ватт увеличена в три раза (соотношение TOPS на ватт). Кроме того, бортовой процессор ARM обеспечит 10==10-кратный прирост производительности в скалярных операциях.</p> <p>Один из крупнейших производителей процессоров, американская компания AMD, презентовала новое поколение чипов Versal. Изделия предназначены для ускорения встраиваемых систем с искусственным интеллектом. По сравнению с продукцией предыдущего поколения, производительность новой серии адаптивных SoC Versal Series Gen 2 на 1 ватт увеличена в три раза (соотношение TOPS на ватт). Кроме того, бортовой процессор ARM обеспечит 10==10-кратный прирост производительности в скалярных операциях.</p>](/images/cache/4197d1dc624150906bce1d43cd4ecc4f.jpg)
30.07.2024
![<p>Компания Renesas Electronics Corp. презентовала 32-битное процессорное ядро на основе архитектуры набора команд RISC-V (ISA) с открытым исходным кодом. Изделие расширит линейку 32-битных микроконтроллеров (MCU) Renesas, в том числе проприетарные изделия RX и RA на архитектуре Arm Cortex-M.</p> <p>Компания Renesas Electronics Corp. презентовала 32-битное процессорное ядро на основе архитектуры набора команд RISC-V (ISA) с открытым исходным кодом. Изделие расширит линейку 32-битных микроконтроллеров (MCU) Renesas, в том числе проприетарные изделия RX и RA на архитектуре Arm Cortex-M.</p>](/images/cache/26581f84f48f859ce2d214866ed76fdf.jpg)
26.07.2024