Перечень продукции последовательной памяти SRAM от компании Microchip расширяется

31.07.2024

 Современный рынок требует все более емкую и быструю полупроводниковую оперативную память. Удовлетворить спрос на подобную продукция взялась Microchip Technology. Компания расширила ассортимент статической памяти с произвольным доступом (SRAM, static random access memory), оснастив ее устройствами большей плотности (до 4 Мб). Кроме того, до 143 МГц увеличена скорость интерфейса Serial Peripheral Interface/Serial Quad I/O™ Interface (SPI/SQI™).

Современный рынок требует все более емкую и быструю полупроводниковую оперативную память. Удовлетворить спрос на подобную продукция взялась Microchip Technology. Компания расширила ассортимент статической памяти с произвольным доступом (SRAM, static random access memory), оснастив ее устройствами большей плотности (до 4 Мб). Кроме того, до 143 МГц увеличена скорость интерфейса Serial Peripheral Interface/Serial Quad I/O™ Interface (SPI/SQI™).

Презентованная последовательная полупроводниковая оперативная память, имеющая объем в 2 и 4 Мб, является дешевой альтернативой параллельным SRAM. Устройства опционально содержат схему переключения на резервное питание от аккумулятора, для сохранения необходимых данных в случае пропадания напряжения.

Как известно, для параллельной оперативной памяти необходимы достаточно габаритные корпуса. От 26 до 35 контактов (входов/выходов) микроконтроллера (MCU) потребуется для организации взаимодействия. Последовательная оперативная память SRAM от компании Microchip размещается в более компактном корпусе с восемью контактами входов/выходов.

Используется высокоскоростная шина связи SPI/SQI, которой для взаимодействия и интеграции необходимо от 4 до 6 входов-выходов MCU. Такой подход позволяет отказаться от более дорогостоящих MCU, оснащенных значительным количеством входов/выходов. Кроме того, существенно уменьшается общая площадь платы.

Определенный недостаток последовательной SRAM — невысокая скорость передачи. Параллельная память значительно быстрее последовательной, поэтому в данных устройствах последовательной SRAM с объемом в 2 и 4 Мб скорость шины составляет 143 МГц с опциональным четырехканальным SPI (4 бита за такт). Такая схема существенно уменьшает разрыв в скорости между ними.

Директор подразделения Microchip, занимающегося производством продуктов памяти Джефф Лизер (Jeff Leasure) заявил, что последовательная память SRAM — это достаточно популярное решение для инженеров, которым требуется больше оперативной памяти, чем доступно на борту их MCU, но которые хотят снизить стоимость и уменьшить размер платы.

При необходимости организации сплошного потока передачи и регистрации тех или иных данных, буферизации, определенных измерений оптимально подойдут компактные, с небольшой мощностью, маломощные и высокопроизводительные последовательные устройства SRAM, презентованные компанией Microchip Technology устройства.



Наши новости один раз в неделю на ваш емайл
Подписаться на почтовую рассылку / Авторам сотрудничество

Электронные компоненты и радиодетали - Подробный каталог компонентов с фото, наличием и ценой. Удобный поиск. Экспресс доставка.
Подробный каталог компонентов с фото, наличием и ценой. Удобный поиск. Экспресс доставка.
Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.


Новости электроники

Еще новости

В архив даташитов сегодня добавили