Транзисторы N-MOSFET на основе карбида кремния
Спрос на мощные полупроводниковые компоненты, способные эффективно обрабатывать высокие токи и напряжения, стремительно растет благодаря развитию промышленной и потребительской электроники. В этом контексте технология карбида кремния (SiC) становится ключевым решением – компания Diotec Semiconductor выходит на рынок с инновационными компонентами на основе SiC, предлагая передовые продукты для современных электронных систем.
Представляем новый ассортимент полупроводниковой продукции от Diotec Semiconductor: N-канальные полевые транзисторы (MOSFET), выполненные на основе карбида кремния (SiC – silicon carbide). Эти компоненты обеспечивают исключительные характеристики и повышенную надежность, что делает их идеальным выбором для требовательных приложений. Ключевые преимущества включают высокий ток стока, широкий температурный диапазон, низкий заряд затвора и быстрое время включения. Благодаря этому транзисторы SiC от Diotec Semiconductor идеально подходят для использования в источниках питания, мощных DC/DC преобразователях, приводах промышленных двигателей и электроинструментах. Кроме того, часть продукции имеет квалификацию AEC-Q101, что позволяет применять ее в автомобильной электронике.
Транзисторы SiC от Diotec Semiconductor: характеристики и применение
Новые MOSFET-транзисторы на основе карбида кремния от Diotec Semiconductor позволяют управлять токами с максимальной силой от 26A до 100A (в зависимости от модели) и устойчивы к импульсам до 300A, что соответствует требованиям контроллеров двигателей. Диапазон напряжений стока-истока для самых надежных продуктов достигает 1,7 кВ, обеспечивая высокую эффективность в различных условиях.
Транзисторы характеризуются низким сопротивлением в проводящем состоянии от 16 мОм до 81 мОм, при этом максимальная рассеиваемая мощность достигает 715 Вт. Для удобства монтажа и обеспечения высоких рабочих параметров компоненты заключены в стандартные корпуса TO247 (с изолированным монтажным отверстием) с 3 или 4 выводами. Все продукты предназначены для сквозного монтажа (THT) и могут работать в диапазоне температур от -55°C до +175°C.
Транзисторы доступны в стандартных корпусах THT, что упрощает их интеграцию в существующие системы.
Использование карбида кремния позволяет не только достичь высоких электрических параметров, но и обеспечивает низкие потери мощности, а также повышенную долговечность и надежность по сравнению с классическими кремниевыми компонентами. Это делает транзисторы SiC от Diotec Semiconductor оптимальным выбором для применений в таких отраслях, как HVAC, автомобилестроение, авиация и других. Они также отвечают вызовам быстрорастущего рынка возобновляемой энергии, обеспечивая эффективность и стабильность в экстремальных условиях.
Технические характеристики транзисторов SiC от Diotec Semiconductor
| Характеристика | Значение |
|---|---|
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Технология | SiC (карбид кремния) |
| Поляризация | Униполярный |
| Напряжение стока-истока* | 650 В, 1,2 кВ или 1,7 кВ |
| Ток стока* | 26…100 А |
| Ток стока в импульсе* | 100…300 А |
| Мощность рассеивания* | 175…715 Вт |
| Корпус* | TO247-3 или TO247-4 |
| Напряжение затвора-истока* | -5…20 В |
| Сопротивление в проводящем состоянии* | 16…81 мОм |
| Монтаж | THT (сквозной монтаж) |
| Заряд затвора* | 45…373 нКл |
| Тип упаковки | Туба |
| Тип канала | Обогащенный |
| Применение* | Автомобильная промышленность, промышленная электроника, возобновляемая энергетика |
* Параметры зависят от конкретной модели продукта.
Подписаться на почтовую рассылку / Авторам сотрудничество
