IGBT транзисторы и силовые модули IXYS/Littelfuse. Модули одиночных транзисторов IGBT от Ixys

29.01.2026

Элементы для высокомощных-мощные приложения

Особого внимания заслуживает продукция IXYS — известного и уважаемого поставщика, который теперь является частью глобального бренда Littelfuse. Это сочетание обеспечивает высочайшее качество и надежность компонентов.

Что такое IGBT транзисторы и почему они так важны?

IGBT Транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — это биполярные транзисторы, управляемые напряжением, которые объединяют преимущества традиционных BJT (высокое рабочее напряжение, большой ток, низкое напряжение насыщения) и MOSFET (быстрое переключение). Они уже много лет представлены на рынке и остаются универсальным решением для мощных приложений, особенно в схемах высокой мощности.

Технологии и подкатегории IGBT модулей

Представленные транзисторные модули изготовлены с использованием передовых технологий Planar Gate и Trench Gate. Популярные подкатегории товаров включают:

  • PT (Punch Through)
  • NPT (Non-Punch Through)
  • XPT (eXtreme-light Punch Through)
  • BiMOSFET (комбинация MOSFET и IGBT технологий, характеризуется высокой плотностью мощности и устойчивостью к обратному напряжению до 1,7 кВ)

Ассортимент включает низкочастотные (<15 кГц), средние (15-40 кГц) и высокочастотные (>40 кГц) варианты, подходящие для стандартных (0,6-1,2 кВ), высоких (1,2-1,7 кВ) и очень высоких (2,5-4 кВ) напряжений.

Модуль с одним транзистором IXFN50N120SK — компактное и эффективное решение для мощных приложений

Однотранзисторные модули IGBT в корпусе SOT227B (miniBLOC)

Особый интерес представляют однотранзисторные модули IGBT в компактном корпусе SOT227B (miniBLOC). Эти решения отличаются:

  • Удобными винтовыми клеммами для простого монтажа
  • Оптимальным теплоотводом благодаря подложке DCB (Direct Copper Bonding — прямое медно-керамическое соединение)
  • Сертификатом безопасности UL (E72873, E153432)
  • Соответствием стандартам RoHS

Области применения корпуса SOT227B

SOT227B — семейство корпусированных IGBT, подходящее для широкого спектра применений:

  • Управление электродвигателями
  • Системы резервного питания (ИБП)
  • Фотоэлектрические инверторы (установки возобновляемой энергии, технологии хранения энергии)
  • Сварочные аппараты
  • Преобразователи постоянного и переменного тока

Транзисторные модули IXYS: технические характеристики

Технические характеристики транзисторных модулей IXYS
Тип модуля IGBT
Макс. обратное напряжение* 0.6..1.7 кВ
Коллекторный ток* 21...200 A
Упаковка SOT227B
Электрический монтаж Винтовой
Затвор-напряжение эмиттера ±20 V
Импульсный ток коллектора* 0.1..1.5 кА
Рассеиваемая мощность* 290...1250 W
Технология GenX3™, XPT™
Механическое крепление Винтовое

* Параметры зависят от конкретной модели

Вывод: IGBT транзисторы и силовые модули IXYS (теперь часть Littelfuse) предлагают надежные, эффективные решения для современных мощных приложений. Благодаря передовым технологиям, широкому диапазону характеристик и соответствию международным стандартам, они являются оптимальным выбором для инженеров и разработчиков.



Наши новости один раз в неделю на ваш емайл
Подписаться на почтовую рассылку / Авторам сотрудничество
ТМ Электроникс



Электронные компоненты и радиодетали - Подробный каталог компонентов с фото, наличием и ценой. Удобный поиск. Экспресс доставка.
Подробный каталог компонентов с фото, наличием и ценой. Удобный поиск. Экспресс доставка.
Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.


Новости электроники

Еще новости

В архив даташитов сегодня добавили