IGBT транзисторы и силовые модули IXYS/Littelfuse. Модули одиночных транзисторов IGBT от Ixys

Особого внимания заслуживает продукция IXYS — известного и уважаемого поставщика, который теперь является частью глобального бренда Littelfuse. Это сочетание обеспечивает высочайшее качество и надежность компонентов.
Что такое IGBT транзисторы и почему они так важны?
IGBT Транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — это биполярные транзисторы, управляемые напряжением, которые объединяют преимущества традиционных BJT (высокое рабочее напряжение, большой ток, низкое напряжение насыщения) и MOSFET (быстрое переключение). Они уже много лет представлены на рынке и остаются универсальным решением для мощных приложений, особенно в схемах высокой мощности.
Технологии и подкатегории IGBT модулей
Представленные транзисторные модули изготовлены с использованием передовых технологий Planar Gate и Trench Gate. Популярные подкатегории товаров включают:
- PT (Punch Through)
- NPT (Non-Punch Through)
- XPT (eXtreme-light Punch Through)
- BiMOSFET (комбинация MOSFET и IGBT технологий, характеризуется высокой плотностью мощности и устойчивостью к обратному напряжению до 1,7 кВ)
Ассортимент включает низкочастотные (<15 кГц), средние (15-40 кГц) и высокочастотные (>40 кГц) варианты, подходящие для стандартных (0,6-1,2 кВ), высоких (1,2-1,7 кВ) и очень высоких (2,5-4 кВ) напряжений.
Модуль с одним транзистором IXFN50N120SK — компактное и эффективное решение для мощных приложений
Однотранзисторные модули IGBT в корпусе SOT227B (miniBLOC)
Особый интерес представляют однотранзисторные модули IGBT в компактном корпусе SOT227B (miniBLOC). Эти решения отличаются:
- Удобными винтовыми клеммами для простого монтажа
- Оптимальным теплоотводом благодаря подложке DCB (Direct Copper Bonding — прямое медно-керамическое соединение)
- Сертификатом безопасности UL (E72873, E153432)
- Соответствием стандартам RoHS
Области применения корпуса SOT227B
SOT227B — семейство корпусированных IGBT, подходящее для широкого спектра применений:
- Управление электродвигателями
- Системы резервного питания (ИБП)
- Фотоэлектрические инверторы (установки возобновляемой энергии, технологии хранения энергии)
- Сварочные аппараты
- Преобразователи постоянного и переменного тока
Транзисторные модули IXYS: технические характеристики
| Технические характеристики транзисторных модулей IXYS | |
|---|---|
| Тип модуля | IGBT |
| Макс. обратное напряжение* | 0.6..1.7 кВ |
| Коллекторный ток* | 21...200 A |
| Упаковка | SOT227B |
| Электрический монтаж | Винтовой |
| Затвор-напряжение эмиттера | ±20 V |
| Импульсный ток коллектора* | 0.1..1.5 кА |
| Рассеиваемая мощность* | 290...1250 W |
| Технология | GenX3™, XPT™ |
| Механическое крепление | Винтовое |
* Параметры зависят от конкретной модели
Вывод: IGBT транзисторы и силовые модули IXYS (теперь часть Littelfuse) предлагают надежные, эффективные решения для современных мощных приложений. Благодаря передовым технологиям, широкому диапазону характеристик и соответствию международным стандартам, они являются оптимальным выбором для инженеров и разработчиков.
Подписаться на почтовую рассылку / Авторам сотрудничество






