Сжатие памяти ИИ: Пропускная способность, конфликты и рынок в условиях кризиса

В то время как искусственный интеллект захватил большую часть технологического внимания в 2025 году, отрасль, неразрывно связанная с ним, также дает о себе знать в начале нового года. Производители DRAM, создающие устройства памяти с высокой пропускной способностью (HBM), распространенные в центрах обработки данных ИИ, борются за мощности заводов, и геополитическая напряженность только усложняет эту задачу.

Генеральный директор Micron Санджай Мехротра ожидает, что рынки памяти останутся ограниченными и после 2026 года; более того, он ожидает, что в этом году Micron сможет удовлетворить лишь от половины до двух третей спроса со стороны нескольких ключевых клиентов. Micron и SK hynix также сообщили, что уже распродали свои запасы HBM на 2026 год.

В то время как поставщики DRAM отчаянно ищут новые мощности фабрик, чтобы удовлетворить ненасытный спрос на ИИ, центры обработки данных и другие приложения с высокой плотностью, как насчет потребительских устройств, таких как ПК, смартфоны и графика? Индустрия полупроводниковой памяти находится в состоянии явного колебания, и следующие события, произошедшие к концу 2025 года, отражают ощущение паранойи и смещения ориентиров.

Micron разговаривает с PSMC

Последние сообщения СМИ подтверждают более ранние разговоры о том, что Micron рассматривает возможность приобретения 12-дюймовой фабрики Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. (PSMC). Потенциально эта сделка может включать стратегический альянс и технологическое сотрудничество. PSMC - тайваньская литейная компания, специализирующаяся на производстве микросхем памяти.

PSMC недавно завершила строительство своей фабрики Tongluo в Миаоли, Тайвань; она была спроектирована с учетом процессов производства памяти в качестве основного направления. В СМИ появились сообщения о том, что Micron и SanDisk стремятся к тесному сотрудничеству с PSMC, поскольку их собственные фабрики выработали свой ресурс. Поставщики памяти, такие как Micron, также ищут дополнительные мощности на фоне растущего спроса и повышения цен на память.

По данным тайваньского издания Economic Daily News, Micron и PSMC рассматривают три потенциальные модели сотрудничества. Если первая из них основана на модели чистого завода, то есть на приобретении полноценного завода, то вторая предполагает передачу технологий и перемещение оборудования. Третий вариант связан с моделью дистрибуции, при которой PSMC будет оставлять себе часть производимых пластин памяти для собственных продаж.

Следующая история о памяти пришла из Китая, где аутсайдер рынка DRAM начал создавать волны, прокладывая новый путь в то время, когда дефицит памяти сотрясает полупроводниковую индустрию.

CXMT стремится к эре 3+1

ChangXin Memory Technologies (CXMT), крупнейший в Китае производитель микросхем памяти, готовится к IPO в Шанхае, чтобы привлечь около 4,2 миллиарда долларов для расширения мощностей по производству пластин, укрепления технологии производства и увеличения инвестиций в разработку устройств DRAM и HBM следующего поколения. Время для этого шага не случайно: полупроводниковая промышленность испытывает острую нехватку DRAM в системах искусственного интеллекта, а также в потребительских сегментах, таких как ПК и смартфоны.

CXMT, занимающая четвертое место на мировом рынке DRAM после Samsung, SK hynix и Micron, была основана в 2016 году при поддержке государства. По данным компании Omdia, занимающейся исследованием рынка, во втором квартале 2025 года доля CXMT на мировом рынке DRAM составляла 4 %. Более того, в 2025 г. компания, базирующаяся в Хэфэе (Китай), удвоила свой годовой доход и, как ожидается, выйдет на прибыльность в 2026 г.

Китайский поставщик памяти бросил прямой вызов трио DRAM - Micron, Samsung и SK hynix, представив свои новейшие чипы DDR5 DRAM в ноябре 2025 г. (Источник: CXMT)

В 2026 году этот производитель DRAM может стать основным производителем памяти; CXMT может даже стать разрушителем, если изменит ценообразование на DRAM. Хотя, как и три ее более крупных конкурента - Micron, Samsung и SK hynix, - CXMT, скорее всего, сосредоточится на стратегических сегментах, таких как искусственный интеллект, а не наводнит потребительский рынок дешевыми DRAM.

Насыщенный событиями год

CXMT также недавно попала в новости из-за истории о технологическом шпионаже с участием инженеров Samsung, якобы передавших технологию 10-нм процесса DRAM китайской компании по производству памяти. Власти Южной Кореи арестовали 10 инженеров Samsung из отделов исследований и проектирования памяти, подозреваемых в утечке особо секретных производственных ноу-хау через рукописные документы и зашифрованные средства связи.

В частности, бывший инженер Samsung передал CXMT технологию суб-10-нм DRAM через рукописные блокноты, составленные в течение почти пяти лет. В них содержались записи о более чем 600 оптимизированных этапах технологического процесса, включая соотношение потоков газа, настройки фоторезиста для литографии и давление в реакторе.

Это последние события в сфере технологий памяти, и они могут стать предвестниками года, полного событий для индустрии DRAM. Рабочие нагрузки, связанные с искусственным интеллектом, будут продолжать оказывать сильное влияние на DRAM и ее специализированный вариант, HBM, что приведет к кардинальным изменениям в индустрии памяти, уже известной своей гиперцикличностью.

Эта статья была первоначально опубликована на EE Times.

Маджид Ахмад, главный редактор EDN и Planet Analog, занимается освещением индустрии разработки электроники уже более двух десятилетий. За это время он работал на различных редакторских должностях, в том числе в EE Times Asia и Electronic Products. Он получил степень магистра в области телекоммуникационной инженерии в Эйндховенском технологическом университете.

.