Infineon представляет первые 100-вольтовые автомобильные транзисторы на базе GaN

22.10.2025

 Новое поколение CoolGaN Automotive повышает эффективность и мощность электронных систем в автомобилях будущего

Новое поколение CoolGaN Automotive повышает эффективность и мощность электронных систем в автомобилях будущего

Компания Infineon Technologies AG расширяет линейку решений на основе нитрида галлия (GaN), укрепляя свои позиции как мирового лидера в производстве автомобильных полупроводников. Представлена первая серия автомобильных транзисторов CoolGaN™ Automotive Transistor 100 V G1, сертифицированная по стандарту AEC-Q101, что подтверждает их полное соответствие требованиям автомобильной отрасли.

Инновации для электрических и программно-определяемых автомобилей

Запуск новой линейки транзисторов знаменует важный шаг в реализации стратегии Infineon по развитию высокоэффективных полупроводников на основе GaN. Продукты серии CoolGaN Automotive 100 V предназначены для низковольтных систем автомобилей — в первую очередь для блоков питания, систем мультимедиа и вспомогательных модулей. В будущем компания планирует расширить линейку за счёт высоковольтных решений для зарядных устройств (OBC) и тяговых инверторов.

"Infineon укрепляет мировое лидерство в автомобильной электронике, внедряя технологию GaN в растущий сектор электрических и программно-определяемых автомобилей, — отметил Йоханнес Шойсволь (Johannes Schoiswohl), руководитель бизнес-направления GaN в Infineon. — Наши 100-вольтовые GaN-транзисторы и будущие высоковольтные решения станут ключевым этапом в развитии энергоэффективных и надёжных компонентов питания для автомобильной промышленности".

Преимущества нитрида галлия в автомобильных системах

Современные транспортные средства всё активнее оснащаются сложными системами — ADAS, интеллектуальными климатическими установками, аудиосистемами и вычислительными модулями. Все они требуют большей мощности и эффективности при минимальном энергопотреблении. В этих условиях нитрид галлия (GaN) становится оптимальным материалом для построения компактных и производительных преобразователей.

Транзисторы на основе GaN обеспечивают:

  • более высокий КПД и меньшие потери при переключении;
  • компактное исполнение, позволяющее уменьшить габариты модулей;
  • снижение тепловыделения и системных затрат по сравнению с кремниевыми аналогами.

Технологический переход к 48-вольтовым системам

Переход автомобильной архитектуры от 12 В к 48 В стал ключевым направлением в разработке программно-определяемых платформ. В таких условиях GaN-преобразователи обеспечивают не только повышение общей производительности, но и возможность внедрения новых функций — например, steer-by-wire (электронное управление рулём) и реального управления шасси, что напрямую улучшает комфорт и безопасность движения.

Новая серия CoolGaN Automotive 100 V идеально подходит для:

  • зональных контроллеров и основных DC-DC преобразователей;
  • вспомогательных силовых систем повышенной мощности;
  • усилителей класса D и других систем аудио высокого разрешения.

Перспективы и доступность

Infineon последовательно расширяет ассортимент автомобильных GaN-компонентов, что способствует ускорению перехода отрасли к использованию новых материалов. В ближайшие годы компания представит новые продукты на базе высоковольтных GaN-транзисторов и двунаправленных ключей, которые уже проходят квалификацию по AEC-Q101.

Семейство CoolGaN Automotive Transistor 100 V G1 доступно для заказов. В предварительную линейку входят модели IGC033S10S1Q и IGB110S10S1Q, образцы которых уже поставляются партнёрам для тестирования в составе автомобильных систем.

Технические характеристики серии CoolGaN Automotive 100 V G1

Параметр Значение Описание
Тип транзистора CoolGaN Automotive G1 100-вольтовый полевой транзистор на основе нитрида галлия
Рабочее напряжение (VDS) 100 В Оптимизировано для низковольтных автомобильных систем
Квалификация AEC-Q101 Соответствие автомобильным стандартам надежности
Основные применения DC-DC преобразователи, аудиоусилители, зональные контроллеры Энергоэффективные системы питания
Материал полупроводника GaN (нитрид галлия) Обеспечивает высокую плотность мощности и эффективность
Диапазон температур -40…+150°C Надёжная работа в условиях повышенной нагрузки
Ключевые преимущества Высокий КПД, компактность, сниженные потери Улучшение производительности систем нового поколения


Наши новости один раз в неделю на ваш емайл
Подписаться на почтовую рассылку / Авторам сотрудничество
ТМ Электроникс


Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.


Новости электроники

Еще новости

В архив даташитов сегодня добавили