Ультракомпактный MOSFET ROHM AW2K21 для современных зарядных систем

Современные электронные устройства предъявляют все более высокие требования к компонентам силовой электроники. Быстрая зарядка смартфонов, носимой электроники и портативных гаджетов требует транзисторов, которые обеспечивают стабильную работу при высоких токах, минимальные потери мощности и компактные размеры. Именно такие задачи решает новый MOSFET AW2K21 от ROHM, сочетающий ультракомпактный корпус и выдающиеся электрические параметры.

Интеграция двух MOSFET в одном корпусе

Уникальность AW2K21 заключается в том, что в корпусе WLCSP 2 х 2 мм объединены сразу два MOSFET. Такое решение обеспечивает двунаправленную защиту, снижает количество дискретных элементов и экономит место на печатной плате. При этом сохраняются высокие показатели надежности и энергоэффективности, что особенно важно для миниатюрных устройств.

Высокая производительность при минимальных габаритах

MOSFET рассчитан на напряжение 30 В и выполнен в конфигурации common-source (общий исток). Он обладает рекордно низким сопротивлением открытого канала я 2 мΩ (тип.), что позволяет эффективно работать при токах до 20 А без перегрева и существенных потерь мощности.

Преимущества по сравнению с традиционными решениями

В типичных схемах защиты и питания приходится использовать два полноразмерных MOSFET, что увеличивает площадь платы и тепловые потери. AW2K21 позволяет уменьшить занимаемую площадь на 81% и снизить сопротивление на 33% по сравнению со стандартными транзисторами в корпусах 3,3х3,3 мм. Более того, он превосходит по характеристикам даже современные GaN HEMT-решения аналогичного размера, обеспечивая до 50% меньшие потери на сопротивлении.

Инновационная конструкция и архитектура

Транзистор имеет уникальную структуру: стоковый вывод размещен на верхней поверхности кристалла, что выгодно отличает его от классических trench-MOSFET. Это решение позволяет увеличить плотность транзисторных ячеек, снизить сопротивление на единицу площади и повысить устойчивость к большим токам.

Области применения и перспективы развити

MOSFET AW2K21 оптимален для:

• систем быстрой зарядки смартфонов и планшетов;
• источников питания носимой электроники;
• защиты аккумуляторных батарей;
• коммутаторов нагрузки в современных схемах.

Кроме того, устройство может использоваться и как односторонний MOSFET-коммутатор, что расширяет его сферу применения. Компания ROHM уже работает над еще более компактной версией — MOSFET размером 1,2 x 1,2 мм, что позволит создавать еще более миниатюрные зарядные и силовые устройства.

Вклад в энергосбережение и устойчивое развитие

Выпуская такие решения, как AW2K21, ROHM помогает уменьшать энергопотери, снижать тепловую нагрузку и продлевать срок службы аккумуляторов. Это не только улучшает эксплуатационные характеристики устройств, но и делает современную электронику более экологически безопасной.

Технические характеристики ROHM AW2K21:

• тип транзистора: MOSFET, n-канальный;
• конфигурация: Common-source (общий исток);
• рабочее напряжение: 30 В;
• максимальный ток: до 20 А;
• сопротивление открытого канала (Rds(on)): 2 мΩ (тип.);
• корпус: WLCSP, 2 x 2 мм;
• особенности: интеграция двух MOSFET в одном корпусе, двунаправленная защита;
• сравнение с традиционными MOSFET: уменьшение площади платы на 81%, снижение сопротивления на 33%;
• сравнение с GaN HEMT: до 50% меньшее сопротивление;
• применение: зарядные устройства, блоки питания, защита батарей, коммутаторы нагрузки.