Компания Ancora Semiconductor представила новейший рассеиватель тепла FET-E6007PD020

16.07.2024

 Серия испытательных тестов завершила проверку новейшего полевого транзистора (FET) производства компании Ancora Semiconductor Inc. Полевой транзистор оснащен двусторонним охлаждением на основе нитрида галлия.

Серия испытательных тестов завершила проверку новейшего полевого транзистора (FET) производства компании Ancora Semiconductor Inc. Полевой транзистор оснащен двусторонним охлаждением на основе нитрида галлия.

В результате испытаний было подтверждено, что компоненты Ancora удерживают отличную производительность и высокий уровень надежности на протяжении остаточно длительного периода (до 200 000 часов).

Представленный полевой транзистор (FET) входит в конструкцию источника питания XPG FUSION 1600W Titanium. Компонент разработан совместно с Delta Electronics Inc. и ADATA Technology Co. Лтд.

Компания Ancora Semiconductor представляет новейшую отраслевую разработку — двухсторонний рассеиватель тепла FET-E6007PD020. Повышенный уровень рассеивания тепла обеспечивается за счет специального рассеивателя на верней стороне, что также снижает вероятность электротермического соединения. Конструкция с двусторонним рассеиванием тепла отмечена патентом, а также достаточно эффективно разделяет тепловые и электрические компоненты, сводя к минимуму проблемы теплопроводности в изделиях, обладающих повышенной мощностью.

Кроме того, инновационная структура упаковки позволяет повысить эффективность продуктов и снизить паразитную индуктивность. При этом демонстрируются отличные характеристики при высоком коэффициенте полезного действия (КПД), повышенной плотности, высокой частоте и при температурном контроле.

Как известно, серверы, искусственный интеллект (ИИ), различного рода высокопроизводительные вычисления, медицинские расчеты, нетворкинг требуют отличной производительности и именно данная продуктовая линейка может предоставить такие возможности.

По словам генерального директора Ancora Semiconductor Dr. ТК. Шинга революционные прорывы в силовой электронике как раз и обеспечили широкозонные полупроводниковые устройства GaN. Благодаря повышенной эффективности и миниатюризации достигаются отличные физические характеристики GaN. Помимо представленного FET-E6007PD020, двустороннему рассеивателю тепла до 650 В, компания Ancora Semiconductor продолжит работы по расширению спектра линейки производимой продукции для удовлетворения растущего спроса отрасли.

Запуск производства FET-E6007PD020 подтверждает первенство компании Ancora в развитии новейших технологий и снабжения клиентов высококачественными полупроводниковыми решениями GaN. В области силовых полупроводников GaN команда Ancora имеет за плечами богаты 15-летний опыт. В активе компании более 200 патентных изобретений, аккумулированных по всему миру.

Взаимовыгодное сотрудничество с такими компаниями как TSMC и ROHM Co. Ltd позволило создать целый ряд продуктов, отвечающих требованиям рынка. Стратегическое партнерство с Delta Electronics и ADATA Technology дает возможность команде Ancora представлять на рынке все более широкий спектр продуктов. Это, в свою очередь, удовлетворяет запросы клиентов, нуждающихся в надежных высокопроизводительных источниках питания.



Наши новости один раз в неделю на ваш емайл
Подписаться на почтовую рассылку / Авторам сотрудничество
Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.


Новости электроники

Еще новости

В архив даташитов сегодня добавили