Infineon представляет усовершенствованный SiC MOSFET для повышения энергоэффективности

Компания Infineon Technologies AG выпустила новейший МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC), CoolSiC MOSFET 650V и 1200V Generation 2, который стал новым достижением в области технологий преобразования энергии. Эта технология нового поколения значительно улучшает ключевые показатели производительности, такие как накопленная энергия и заряд, на 20 процентов по сравнению с предшественниками, без снижения качества и надежности. Это улучшение способствует повышению энергоэффективности, что вносит вклад в более широкие усилия по декарбонизации.

Технология CoolSiC MOSFET 2-го поколения использует сильные стороны SiC для минимизации потерь энергии, повышая тем самым эффективность преобразования энергии. Это достижение выгодно в различных областях применения силовых полупроводников, включая фотогальванику, системы хранения энергии, зарядные станции для электромобилей постоянного тока (EV), электроприводы и промышленные источники питания.

Например, станции быстрой зарядки постоянного тока, оснащенные технологией CoolSiC G2, имеют на 10 % меньше потерь мощности по сравнению с предыдущими моделями, обеспечивая при этом более широкие возможности зарядки в том же компактном форм-факторе. Аналогичным образом, тяговые инверторы, использующие CoolSiC G2, позволяют увеличить дальность хода электромобилей. Кроме того, солнечные инверторы, созданные с использованием этой технологии, могут достигать более высокой мощности при меньших размерах, эффективно снижая стоимость одного ватта.

Президент подразделения Green Industrial Power компании Infineon, подчеркнул роль CoolSiC MOSFET G2 в решении основных задач в области производства, передачи и потребления энергии. Он подчеркнул, что эта технология позволяет создавать более экономичные, компактные, надежные и энергоэффективные системы, которые имеют решающее значение для экономии энергии и сокращения выбросов CO2 в различных секторах, включая промышленный, потребительский и автомобильный.

Инновационная технология CoolSiC MOSFET trench в серии Generation 2 от Infineon оптимизирует конструктивные компромиссы, повышая эффективность и надежность по сравнению с предыдущими технологиями SiC MOSFET. Благодаря отмеченной наградами технологии упаковки .XT, CoolSiC G2 достигает большей теплопроводности, улучшает контроль сборки и повышает общую производительность.

Компания Infineon, обладающая обширным опытом в области технологий кремния, карбида кремния и нитрида галлия (GaN), предлагает непревзойденную гибкость в проектировании и передовые знания в области применения, отвечающие современным требованиям к дизайну. Фокус компании на материалах с широкой полосой пропускания (WBG), таких как SiC и GaN, подкрепляет ее стремление к эффективному использованию энергии и декарбонизации.