GaN-on-SiC-транзистор на 50 Вт с рабочим частотным диапазоном 5..6 ГГц
12.02.2018
Integra Technologies анонсировала выпуск согласованного транзистора с технологией GaN-on-SiC, пиковой мощностью 50 Вт и частотным диапазоном 5..6 ГГц. Спроектированный для импульсных радарных систем С-диапазона компонент IGT5259L50 HEMT согласован на 50 Ом.
Точный частотный диапазон транзистора: 5,2..5,9 ГГц, усиление 14 дБ при КПД до 43 % (импульсы 1 мс / 15 %). Компонент выпускается в RoHS-совместимом металлокерамическом корпусе 20 х 11 мм с монтажными фланцами и позолоченным напылением.
Высокочастотные мощностные характеристики нового транзистора полностью испытаны в 50-оммной схеме. Компонент соответствует требованиям стандарта MIL-STD-750D.
Наши новости один раз в неделю на ваш емайл
Подписаться на почтовую рассылку / Авторам сотрудничество
Подписаться на почтовую рассылку / Авторам сотрудничество
