X-FAB пополнила ассортимент малошумящих транзисторов

X-FAB добавила три новых малошумящих транзистора в линейку компонентов на 180-нм техпроцессе: 1,8-В n-канальный МОП-транзистор (NMOS), 3,3-В n-канальный МОП-транзистор и 3,3-В p-канальный МОП-транзистор (PMOS). Все компоненты имеют значительно сниженный фликкер-шум в сравнении со стандартными аналогами.

Новые ключи специально спроектированы для схем датчиков, в которых требуется усиление при очень низком уровне помех для достижения высокого соотношения сигнал/шум. Среди ключевых целевых схем: аналоговые и цифровые микрофонные усилители, широко применяемые в мобильных телефонах и гарнитурах, а также имплантируемые медицинские устройства.

Малошумящий NMOS-ключ на 1,8 В имеет в 8 раз пониженный шум в сравнении со стандартным транзистором XH018. Ключ NMOS на 3,3 В имеет в 10 раз пониженный шум. Фликкер-шум, также известный как 1/f-шум, доминирует на низких частотах между 1 Гц и 1 МГц. Схемы, работающие в данном диапазоне частот, требуют пониженного фликкер-шума.

Новые малошумящие транзисторы на техпроцессе 180 нм, интегрированном в комплект технологического проектирования XH018, доступны для заказа. Параметры шума заданы в моделях транзисторов для упрощения моделирования шумового поведения цепей перед непосредственным внедрением.