Toshiba представляет TVS-диоды для защиты высокоскоростных интерфейсов

Европейское подразделение Toshiba выпустило новые диоды защиты от электростатических разрядов, основанные на техпроцессах диодных матриц 4 поколения (EAP-IV) и фирменной технологии диодов с накоплением заряда.

Стремительный рост трафика данных, вызванный активным распространением смартфонов, носимой электроники, виртуальной реальности и Интернета вещей, ведёт к увеличению числа высокоскоростных интерфейсов, требующих защиты от электростатических разрядов.

Новые диоды – DF2B5M4SL, DF2B6M4SL, DF10G5M4N и DF10G6M4N – обеспечивают защитой высокоскоростных интерфейсов, включая USB 3.1. Компоненты, рассчитанные на рабочие напряжения 3,6 и 5,5 В, выпускаются в корпусах SOD962 и DFN10, предоставляя гибкие опции при проектировании защиты от электростатики в различных схемах.

Четыре новых диода обладают низкими значениями ёмкости и динамического сопротивления, а также высокой устойчивостью к электростатическим явлениям. Минимальное искажение высокоскоростных сигналов гарантируется за счёт сверхнизкой ёмкости в 0,2 пФ, в то время как типовое значение динамического сопротивления в 0,5 Ом способствует низким напряжениям фиксации. Допустимый уровень электростатических разрядов составляет как минимум ±20 кВ (стандарт IEC61000-4-2).

Диоды DF2BxM4SL пригодны для монтажа на высокоплотных печатных платах, поскольку корпус SOD-962 требует площадки с размерами лишь 0,62 х 0,32 мм. Данные компоненты защиты могут быть размещены близко к микросхемам.

В случае с диодами DF10GxM4N корпус DFN10 может легко монтироваться поверх 4-битных шин данных. Подобный дизайн упрощает трассировку шин на печатной плате, поскольку не требуются дополнительные площадки под TVS-диоды.