Dialog Semiconductor выходит на рынок компонентов на основе нитрида галлия

В 4 квартале текущего года компания Dialog Semiconductor приступит к выпуску силовых чипов на основе нитрида галлия (GaN). Первым решением станет сетевой адаптер скоростной зарядки на основе 650-В техпроцесса GaN-on-Silicon.

Чип DA8801 в сочетании с фирменными патентованными контроллерами преобразования питания Rapid Charge позволит выпускать более эффективные, компактные адаптеры питания с большей удельной мощностью в сравнении с традиционными решениями на базе кремниевых полевых транзисторов.

Полумостовая схема DA8801 включает необходимые функциональные блоки, такие как драйверы затвора и цепи смещения уровня, силовые 650-В ключи – всё необходимое для выполнения оптимизированного решения со снижением потерь в пределах 50 % и с КПД до 94 %. Чип позволит без труда задействовать GaN-компоненты, избегая проектирования сложных цепей, необходимых для питания силовых ключей на базе нитрида галлия.

Применение технологии GaN в полумостовом чипе DA8801 также способствует сокращению размеров силовой электроники в пределах 50 %. Адаптер питания на 45 Вт теперь разместится в корпусе 25-ваттного. Сокращение размеров позволит разрабатывать полностью универсальные адаптеры зарядки для мобильных устройств.