Беспробойные 1200-вольтовые БТИЗ APT85GR120B2, APT85GR120L и APT85GR120J с уменьшенными потерями проводимости и переключения

Microsemi анонсировала дополнение к серии 1200-вольтовых беспробойных биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ) в виде компонентов APT85GR120B2, APT85GR120L и APT85GR120J. Основанные на улучшенной технологии Microsemi Power MOS 8, новые транзисторы способствуют значительному снижению потерь проводимости и переключения. Устройства разработаны для продуктов с высокопроизводительными и мощными режимами переключения, таких как системы дуговой сварки, солнечные инверторы, источники беспрерывного питания.

Для обеспечения инженеров высоко интегрированными решениями, совместно с новыми транзисторами могут интегрироваться диоды FRED, а также карбидокремниевые диоды Шоттки Транзистор APT85GR120B2 выпускается в корпусе TO-247 MAX, APT85GR120L – в TO-264, APT85GR120J – в SOT-227.

Новые транзисторы имеют более быстрые возможности переключения благодаря значительно сниженному заряду затвора (Qg), эффективное преобразование питания за счёт переключения с частотой свыше 80 кГц. Их проще включать параллельно (положительный температурный коэффициент Vcesat) для увеличения надёжности в схемах высокой мощности. Новые компоненты имеют стойкость к короткому замыканию для безопасной работы схем, в которых возможны такие условия.

Microsemi также будет выпускать устройство APT85GR120JD60 в корпусе SOT-227 с 60-амперным встречно-включенным ультрабыстрым диодом восстановления, выполненным по фирменной технологии лавинных диодов DQ с малыми потерями на переключении.