Семейство РЧ транзисторов на основе нитрида галлия для мобильных широкополосных схем

Ampleon представила 2-ое поколение РЧ транзисторов на основе технологии «GaN on SiC» (нитрид галлия – карбид кремния). Силовые ключи с рабочим напряжением 50 В специально спроектированы для применения в мобильных широкополосных схемах.

Новые транзисторы демонстрируют 5 %-ное улучшение по КПД в сравнении с компонентами на базе технологии LDMOS. Благодаря новому поколению компонентов мощные многополосные схемы могут быть уменьшены по размерам в пределах 30–50 % в сравнении с аналогами на основе LDMOS-транзисторов.

Теперь ассортимент компании включает транзисторы с пиковой мощностью от 15 до 600 Вт для диапазона частот от 1,8 до 3,8 ГГц. Транзистор CLF2H27LS-140 выдаёт до 140 Вт пиковой мощности в частотной полосе 41. Другие ключи, доступные пока в виде образцов, включают CLF2H1822LS-160 и CLF2H1822LS-220, рассчитанные на диапазон частот от 1,8 до 2,2 ГГц. Также доступны образцы компонентов CLF2H38LS-140 и CLF2H38LS-40 для диапазона 3,4–3,8 ГГц.

Семейство представленных транзисторов предназначено для проектирования схем радиочастотных усилителей, применяемых в инфраструктуре беспроводных сетей.