Microsemi используют нитрид галлия с карбидом кремния (Gan-on-Sic) для изготовления RF-транзисторов высокой мощности

Microsemi объявили о выходе линейки RF-транзисторов с пиковой коммутируемой мощностью 700Вт.

Сконструированные изначально для высокомощного контроля воздушного движения, вторичного обзорного радио-приложений, 1011GN-700ELM работает на частоте 1030МГц и поддерживает сообщений расширенной длины с импульсами малой и большой длительности.

Новый транзистор основан на нитрид-галлия-карбид-кремния технологиях, таким образом он может быть использован для высокомощных электронных приложений.

Поставщик предлагает 250, 500 и 700Вт Gan-on-Sic транзисторы для вторичных обзорных радиолокационных поисковых и отслеживающих приложений.

Gan-on-Sic транзисторы находятся в разработке и будут выпущены позже в этом году.

Будущая продуктовая линейка Microsemi включает разнообразные высокомощные GaN-on-SiC транзисторы для L, S и С-частотных радарных систем.

Компания также предлагает GaN микроволновые силовые установки, среди которых есть следующие S-частотные радарные модели: 2729GN-150, 2729GN-270, 2731GN-110M, 2731GN-200M, 3135GN-100M, 3135GN-170M, 2735GN-35M and 2735GN-100M.

В разработке находятся несколько новых продуктов для L-частотного авиационного электронного оборудования, покрывающих 960-1215 МГц; L-частотный радар, покрывающих 1200-1400МГц; и S-частотный радар, высокомощные устройства, покрывающие 2,7-2,9ГГц.