Чип H-моста с МОП-транзисторами сократит размеры схем

Компонент DMHC10H170SFJ, представленный корпорацией Diodes, является полным H-мостом со сдвоенными n- и p-канальными МОП-транзисторами в компактном корпусе DFN5045 (5 х 4,5 мм). Чип способствует сокращению числа задействованных компонентов и уменьшению размеров плат.

Новая микросхема особенно актуальна в системах с несколькими УЗ-преобразователями, например, в оборудовании контроля качества, в схемах морских сонаров. Также чип найдёт применение в драйверах управления двигателями постоянного тока, 48-В вентиляторами телекоммуникационного оборудования и прочих схемах с индуктивной нагрузкой (к примеру, катушки в схемах беспроводной зарядки).

Чип DMHC10H170SFJ имеет напряжение пробоя «сток-исток», равное 100 В, что обеспечивает достаточным запасом для работы с телекоммуникационным и промышленным напряжением 48 В. Кроме того, 5 В напряжения затвора упростит схемы с непосредственным логическим взаимодействием с микроконтроллерами. Допустимый пиковый импульсный ток до 11 А также означает то, что компонент выдержит броски тока возбуждения катушки, уровень которого более чем в 5 раз выше типового рабочего тока двигателя (DC).

Один компонент DMHC10H170SFJ заменит четыре корпуса SOT23 либо два SO-8.