AOS представила чипы в корпусе PairFET

Компания Alpha and Omega Semiconductor (AOS) выпустила ассиметричный корпус PairFET с интегрированными МОП-транзисторами верхнего и нижнего плеча. Новый чип должен оптимизировать сопротивление и характеристики переключения встроенных транзисторов для достижения большей эффективности при работе компонентов в силовых каскадах цепей питания. Сочетание фирменной технологии XSFET с новым корпусом PairFET позволило достичь дополнительных улучшений в рассеивании выделяемой теплоты.

Новейшее поколение центральных процессоров требует отдельных питающих цепей для каждой шины Vcore, что представляет сложности при проектировании блоков питания. Большее число цепей преобразования DC/DC необходимо уместить на более компактной площади, при этом нужно повысить итоговую энергоэффективность.

Для решения задачи важны новые типы компактных компонентов с МОП-транзисторами, обладающими сверхнизким сопротивлением, меньшими потерями переключения, улучшенными температурными характеристиками. Чипы AOE6930 PairFET от AOS включают МОП-транзисторы верхнего и нижнего плеча на базе корпусов DFN с сопротивлением открытого состояния 7 и 1,05 мОм, соответственно.

Транзистор нижнего плеча соединён непосредственно с открытой контактной площадкой, которая может быть связана с массой на печатной плате для улучшения рассеивания теплоты.