Samsung приступила к производству 48-слойной памяти V-NAND

Samsung сообщила о старте серийного производства 48-слойной памяти V-NAND с ёмкостью 256 Гбит и плотностью 3 бита на ячейку. Пилотный проект получил название BiCS Flash.

В марте текущего года компании Intel и Micron сообщали о начале отгрузки 32-слойной памяти V-NAND с ёмкостью 256 Гбит и с технологией плавающей запятой. Позже разработчики также анонсировали загадочную технологию 3D XPoint, которая будет задействована в новых решениях уже в этом году.

В 48-слойной памяти от Samsung применена технология ловушки заряда. Новые чипы содержат 85,2 млрд. ячеек памяти, каждая из которых может хранить до 3 разрядов. В новинках на 30 % снижено энергопотребление по сравнению с 32-слойными устройствами типа V-NAND с ёмкостью 128 Гбит (при хранении одинакового объёма данных). Также на 40 % снижена стоимость за 1 бит.