В следующем месяце Toshiba представит образцы памяти V-NAND с ёмкостью 256 Гбит

Toshiba выпустит образцы многослойной памяти типа V-NAND с ёмкостью 256 Гбит и 3-уровневой структурой ячеек. Продукт под названием BiCS Flash основан на техпроцессе, формирующем 48 слоёв. Ёмкость новой памяти превышает данный показатель у стандартной 2-мерной flash-памяти типа NAND. При этом улучшены характеристики записи/стирания.

Новые чипы найдут применение в потребительских и корпоративных (для ЦОД) SSD-накопителях, смартфонах, планшетах, картах памяти. С момента анонса прототипа технологии BiCS Flash в июне 2007 года, Toshiba продолжала разработку продукта и оптимизации рабочих показателей под серийное производство. Компания активно продвигает миграцию существующих решений на новый тип памяти, выпуская линейку решений, упор в которых сделан на возможность применения в ёмких устройствах, таких как SSD-накопители.

Toshiba сейчас завершает приготовления для серийного выпуска нового чипа. Производство будет осуществляться на новой фабрике Fab2 (Yokkaichi Operations). Строительство фабрики планируют завершить в первой половине 2016 года.