Diodes представляет двунаправленные MOSFET-транзисторы, сокращающие потери мощности

Diodes представила двунаправленные MOSFET-транзисторы, которые должны обеспечить высоким уровнем защиты цепи зарядки 1- и 2-ячеистых литиевых батарей. Транзистор DMN2023UCB4 имеет низкое сопротивление открытого состояния, что способствует сокращению потерь мощности, а компактный корпус позволяет проектировщикам высвободить дополнительное место для повышения ёмкости батарей.

Сопротивление Rss(on) компонента DMN2023UCB4 составляет менее 26 мОм. Сдвоенная n-канальная конфигурация с общим стоком особенно удачна для цепей зарядки 1- и 2-ячеистых литиевых аккумуляторов, в которых обычно используется схема с переключателем нижнего плеча. Для реализации цепи с ключом верхнего плеча Diodes предлагает транзистор DMP2100UCB9, имеющий сдвоенную p-канальную конфигурацию с общим истоком.

Подобные характеристики транзистора в паре с компактным корпусом (1,8 х 1,8 мм, толщина до 0,4 мм) делают его идеальным для цепей управления питанием батарей, коммутации нагрузки и защиты, где важен малый форм-фактор. К прочим параметрам новых транзисторов можно добавить пороговый уровень напряжения затвора, составляющий менее 1 В. Это важно при работе в низковольтном режиме. Помимо этого, реализована защита затвора от электростатики с уровнем более 2 кВ.

Сфера применения компонентов включает смартфоны, планшеты, камеры, портативные проигрыватели и потребительские гаджеты, ключевыми факторами для которых являются вес, размеры и время автономной работы устройства. Транзисторы DMN2023UCB4 и DMP2100UCB9 доступны для заказа партиями по 10 тыс. шт.