Renesas пополнила серии чипов энергоэффективной памяти SRAM с высокой устойчивостью к случайным сбоям

Корпорация Renesas анонсировала 5 дополнительных решений в сериях RMLV0816B и RMLV0808B, представляющих фирменные флагманские чипы Advanced LP SRAM с низким энергопотреблением. Модули памяти имеют ёмкость 8 Мбит и выполняются по совершенному техпроцессу с геометрией 110 нм. Согласно разработчикам, новые чипы – это высоконадёжные решения с таким же уровнем случайных сбоев, что и предыдущие компоненты компании, выполненные по 150-нм техпроцессу. Также, решения имеют низкое энергопотребление с максимальным током покоя, равным 2 мкА (при температуре 25 °C), что позволяет их использовать в схемах с питанием от батарей.

Энергоэффективные модули SRAM от Renesas широко используются в ряде промышленных систем, офисной технике, коммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и потребительских товарах. Помимо производительности и функциональности чипов, критически важным является уровень надёжности всей системы. Вот почему для модулей памяти SRAM необходима высокая надёжность, ведь в них может храниться системное ПО и данные. Очень важна устойчивость модулей к случайным сбоям, вызванным, например, альфа-излучением, нейтронами космического излучения.

С тех пор как Renesas добавила конденсатор к ячейкам памяти в модулях Advanced LP SRAM, данные компоненты стали иметь экстремально-высокую устойчивость к случайным сбоям. Испытания модулей LP SRAM, созданных по 150-нм техпроцессу подтвердили этот факт. Нагрузочные транзисторы (p-канальные) в ячейке SRAM сформированы как поликремниевые TFT-структуры, находящиеся в верхнем слое n-канальных МОП-транзисторов, сформированных на кремниевой подложке. Поэтому только n-канальные транзисторы могут быть сформированы под этой подложкой. В результате, в модулях памяти нет паразитных тиристоровых структур, а значит они, в принципе, лишены эффекта фиксирования.

Конструкторские решения привели к экстремально-высокой надёжности чипов памяти в сравнении с модулями, выполненными по CMOS-технологии и имеющими обычную структуру ячеек. Более того, в модулях Advanced LP SRAM размер ячеек памяти уменьшен благодаря комбинированию технологии многоуровневого размещения поликремниевых TFT-структур с технологиями многоуровневых транзисторов. К примеру, размер ячейки в 110-нм модулях памяти Advanced LP SRAM сравним с размерами, достигнутыми в 65-нм памяти SRAM, выполненной по технологии CMOS.

Образцы модулей SRAM от Renesas станут доступными в декабре текущего года. Стоимость чипов составит $11. Серийное производство запланировано на начало января 2015 года.