Радиочастотный антенный переключатель для смартфонов обеспечит поддержкой технологии LTE-A

09.10.2014

Toshiba выпустила чип антенного РЧ переключателя, поддерживающего технологию LTE-Advanced и обладающего, согласно разработчикам, самым низким уровнем вносимых потерь и искажений.

Toshiba выпустила чип антенного РЧ переключателя, поддерживающего технологию LTE-Advanced и обладающего, согласно разработчикам, самым низким уровнем вносимых потерь и искажений. Компонент предназначен для применения в схемах смартфонов.

По мере развития мобильных коммуникаций возрастает число РЧ полос, скорости передачи данных значительно растут. Требования к чипам антенных переключателей, применяемых в РЧ цепях мобильных устройств, повышаются в контексте таких параметров как вносимые потери и линейность. Для того чтобы соответствовать стремительному росту скорости обмена данными в мобильных устройствах, необходимо достичь улучшений РЧ показателей, причём недорогим способом.

Исходя из растущих требований, Toshiba разработала техпроцесс нового поколения – TaRF6 (TarfSOI). Техпроцесс основан на технологии кремния на изоляторе (SOI). TarfSOI позволяет интегрировать в рамках одного чипа аналоговые, цифровые и РЧ цепи. По сравнению с другими традиционными технологиями, например GaAs, новый способ позволяет выработать недорогое решение с поддержкой комплексных функций переключения.

На основе процесса TaRF6 созданы MOSFET-транзисторы специально для РЧ переключателей. Они задействованы в чипе антенного переключателя типа SP12T с уровнем вносимых потерь, равным 0,42 дБ (на частоте 2,7 ГГц) и искажением сигнала за счёт второй гармоники, порядка -90 дБ. По сравнению с компонентами, выпущенными на предыдущем техпроцессе TaRF5, в новых решениях достигнуто улучшение на 0,26 дБ по вносимым потерям и на 18 дБ по искажениям по второй гармонике. Меньшие вносимые потери ведут к возможному снижению энергопотребления смартфонов, в то время как более низкие искажения могут привести к производству смартфонов с агрегацией несущих частот.

Toshiba расширит модельный ряд компонентов на базе процесса TaRF6 к концу года для соответствия требованиям, заявленным для стандарта LTE, применяемого по всему миру, а также для LTE-A, который ожидается в будущем. Toshiba планирует предложить производственные мощности на базе технологии TarfSOI.



Наши новости один раз в неделю на ваш емайл
Подписаться на почтовую рассылку / Авторам сотрудничество
ТМ Электроникс



Экспресс доставка электронных компонентов - Оптовые поставки с онлайн складов и складов производителей.
Оптовые поставки с онлайн складов и складов производителей.
Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.


Новости электроники

Еще новости

В архив даташитов сегодня добавили