Сдвоенный MOSFET-транзистор с рабочим напряжением 25 В сократит потери мощности на 5 %

International Rectifier (IR) представила 25-В сдвоенный силовой MOSFET-транзистор, который должен сократить потери мощности при рабочем токе до 25 А в пределах 5 % по сравнению с традиционными компонентами. Новый компонент IRFHE4250D предназначен для 12-В синхронных понижающих схем, применяющихся в телекоммуникационном и сетевом оборудовании, серверах, графических картах, настольных компьютерах, ультра- и ноутбуках.

IR сообщила о том, что транзистор выполнен по самым новым техпроцессам в низкопрофильном корпусе PQFN (6 х 6 мм) с открытым кристаллом. Корпус обладает улучшенными температурными характеристиками. Транзистор имеет отличные параметры сопротивления R_DS(on) и заряда затвора, обеспечивая высокой плотностью мощности и низкими потерями на переключениях. Это способствует сокращению размеров печатных плат и повышению итоговой эффективности систем.

Как и другие силовые блоки от IR, компонент IRFHE4250D работает с любым контроллером или драйвером. Устройство испытано для промышленного применения (чувствительность к влаге – 2 уровень, MSL2). Транзистор доступен по цене $1.44 при заказе партий от 1 тыс. шт.