Память FRAM MB85RC1MT с возможностью частой перезаписи данных

Fujitsu Semiconductor представила память FRAM ёмкостью 1 Мбит, предназначенную для систем с частой перезаписью данных: регистраторов событий реального времени в автоматике, измерительного и промышленного оборудования. Модуль MB85RC1MT поддерживает до 10 трлн. циклов записи/чтения, имеет самую высокую плотность памяти среди аналогичных компонентов Fujitsu с интерфейсом I2C.

Новые модули памяти FRAM работают при питании от 1.8 до 3.4 В и температурном диапазоне от -40°C до 85°C. Данный тип памяти характеризуется как энергонезависимостью, позволяющей хранить данные даже при отключении питания, так и случайным доступом, обеспечивающим быструю запись информации. Модули поддерживают как высокоскоростной режим работы с частотой 3.4 МГц, так и традиционный для EEPROM – 1 МГц.

Чипы MB85RC1MT расширяют фирменную линейку продуктов модулей FRAM с интерфейсом I2C, покрывая диапазон ёмкостей 4 Кбит – 1 Мбит (16 Кбит – 2 Мбит для модулей с интерфейсом SPI). Новые решения выпускаются в 8-выводных корпусах SOP. Для заказа доступны испытательные образцы.