150-ваттный транзистор с высокой подвижностью электронов

M/A-COM Technology Solutions начала выпуск РЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ), выполненных на техпроцессе GaN-on-SiC (нитрид галлия на карбиде кремния) и предназначенных для импульсных цепей. ТВПЭ MAGX-000025-15000 имеет выходную мощность до 150 Вт при усилении 18 дБ и КПД 58%.

ТВПЭ имеет высокое пробивное напряжение. Разработчик уверяет, что транзистор может работать стабильно при экстремальной рассогласованности нагрузки. Компонент выпускается в 4-выводном корпусе Gemini, обеспечивающем согласованную работу в широкой полосе частот.

«Новый 150-ватнный транзистор в корпусе Gemini обеспечивает невероятной гибкостью работы. Компонент может быть включен в пушпульную схему для работы в широком диапазоне с малым уровнем помех либо в 1-выводном режиме для схем с более компактным форм-фактором», – отмечает Пол Бисли, менеджер компании M/A-COM.

Работая в частотном диапазоне 2500 МГц, ТВПЭ обеспечивает среднее время до отказа: 600 лет. К прочим характеристикам транзистора относится КПД до 58%, стабильность по рассогласованности нагрузки (VSWR-S) 5:1, допуск по рассогласованности нагрузки (VSWR-T) 10:1, спад импульса: 0.2 дБ.