Samsung представляет первую в промышленности мобильную память LPDDR4 DRAM ёмкостью 8 Гбит

Samsung представляет первую в промышленности мобильную память DRAM типа LPDDR4 с ёмкостью 8 Гбит. Согласно разработчикам, новая сверхскоростная мобильная память выпущена в соответствии с растущими запросами на рынке электронных устройств.

«Решения нового поколения значительно ускорят рост глобального рынка памяти DRAM и вскоре займут на нём лидирующую позицию, – отмечает Ян-Юнь Джун, исполнительный вице-президент Samsung Electronics. – Мы продолжим выпускать наиболее передовую память DRAM, которая будет на 1 шаг опережать остальные решения в данном направлении. Сборщики оригинального оборудования смогут создавать инновационные мобильные устройства, обеспечивающие пользователей превосходными рабочими характеристиками».

Новая высокоскоростная мобильная память LPDDR4 DRAM с ёмкостью 8 Гбит обеспечит самым высоким уровнем плотности, рабочих характеристик и эффективности, что повлияет на скорость работы портативных устройств и на их функциональные возможности. Кроме того, далее будут расти разрешение экранов и время автономной работы мобильной электроники при питании от батарей.

Мобильная память LPDDR4 DRAM выполнена по 20-нм техпроцессу, позволяя достичь ёмкости 1 ГБ на одном кристалле, что является на сегодняшний день максимальной плотностью для компонентов данного типа памяти. Четыре 8-гигабитных чипа образуют 4-ГБ корпус LPDDR4 с максимальными рабочими характеристиками, доступными на текущий момент.

Дополнительно, в новом решении применён интерфейс ввода/вывода LVSTL (Low Voltage Swing Terminated Logic), изначально предложенный Samsung комитету JEDEC и ставший стандартом для модулей LPDDR4 DRAM. Новый чип, основанный на данном интерфейсе, обеспечит пропускную способность одного вывода, равную 3200 Мбит/с, что вдвое превышает показатели памяти LPDDR3 DRAM (20 нм), находящейся в серийном производстве. В итоге, интерфейс LPDDR4 предоставляет повышенную на 50% производительность по сравнению с самой быстрой памятью LPDDR3 или DDR3. Кроме того, новое решение потребляет на 40% меньше энергии при рабочем напряжении 1.1 В.

Выпуская новый чип, Samsung сосредоточится на высшем сегменте мобильных устройств с большими экранами. Это планшеты, смартфоны и сверхтонкие ноутбуки с разрешением экрана, в 4 раза превышающим full-HD. Помимо этого новые компоненты найдут применение в высокопроизводительных сетевых системах.

Samsung лидирует в производстве мобильной памяти DRAM, занимая самую широкую долю рынка за счёт памяти LPDDR3 с ёмкостью 4 и 6 Гбит. Компания начала поставки самой тонкой и миниатюрной памяти LPDDR3 в ноябре 2013 года. Новое 8-Гбит решение стремительно расширит рынок высокоплотной памяти DRAM для мобильных устройств нового поколения.