Plessey повысила эффективность светодиодов с технологией GaN-on-silicon

Компания Plessey анонсировала 2 поколение светодиодов с технологией GaN-on-silicon («нитрид галлия на кремнии»). Компоненты с мощностью 0.2 Вт выдают до 12.3 лм светового потока. Эффективность составляет 61 лм/Вт, что вдвое превышает характеристики первого поколения.

«Мы далеко продвинулись, улучшая и развивая технологию MAGIC (на базе GaN-on-Si)», – отмечает технический директор Plessey, Кейт Стриклэнд.

На текущий момент доступны опытные образцы новых компонентов с заводским номером PLW114050. Данные светодиоды станут первыми в семействе осветительных решений начального уровня.

Решения в корпусе 3020 предлагают цветовую температуру от 2700 до 6500 К при распределении Ламберта свыше +/-60°. Прямое падение напряжения составляет 3.2 В при токе 60 мА.

Plessey также предлагает синие светодиоды PLB010050 в виде полупроводниковых кристаллов.

Сфера применения компонентов: подсветка приборных панелей, навигационное оборудование и аудиосистемы, а также декоративное освещение и светящиеся таблички.