Richardson начала поставки карбидокремниевых MOSFET-ключей от Cree с рабочим напряжением до 1.7 кВ

Дистрибьютор Richardson RFPD начал реализацию первых в промышленности карбидокремниевых MOSFET-ключей от компании Cree, имеющих сопротивление 1 Ом и рабочее напряжение до 1.7 кВ. Согласно данным Richardson, транзистор C2M1000170D Z-FET обладает высокоскоростным переключением, низкой ёмкостью, высоким пробойным напряжением и низким сопротивлением исток-сток (Rds_(on)) в открытом состоянии.

Новый компонент легко работает в параллельных схемах, им просто управлять. Транзистор лишён эффекта фиксирования. Ключ C2M1000170D предназначен для блоков питания с мощностью до 200 Вт, работающих от постоянного тока с напряжением от 200 до 1000 В. Транзистор заменит кремниевые MOSFET-ключи во вспомогательных источниках энергии с эффективным преобразованием мощности от высоковольтных шин питания для обеспечения работы системной логики, дисплеев и охлаждающих вентиляторов.

Карбидокремниевые MOSFET-транзисторы опережают кремниевые аналоги по частоте переключения, рабочей частоте, пробойному напряжению и надёжности. При этом они способствуют снижению затрат.

Транзисторы C2M1000170D могут работать при непрерывном токе стока, порядка 4.9 А (постоянный ток Ids при температуре перехода 25°С) и 3 А (постоянный ток Ids при температуре перехода 100°С). Помимо этого, решение обладает сопротивлением исток-сток (Rds_(on)) в открытом состоянии, равным 1 Ом (темп. 25°С). Транзистор выпускается в корпусе TO-247-3.

Новый компонент доступен для заказа со склада.