Память DDR4 от Samsung на техпроцессе 20 нм

Корпорация Samsung начала серийное производство передовой памяти DDR4 для корпоративных серверов и датацентров нового поколения. Согласно разработчику, выпуск высокопроизводительных и высокоплотных модулей DDR4 удовлетворит спрос на данный тип памяти в постоянно растущих центрах обработки данных и серверах уровня предприятия.

Чипы DDR4 с ёмкостью 4 Гбит, выполненные на 20-нм техпроцессе, будут способствовать спросу на модули памяти ёмкостью 16 и 32 ГБ. Можно сравнить это с повсеместным применением 8-ГБ модулей DRAM на техпроцессе 30 нм.

Производство новой 20-нм памяти DDR4 с ёмкостью 4 Гбит следует за выходом 50-нм модулей DDR3 с ёмкостью 2 Гбит в 2008 году и планами выпуска DDR4 для датацентров и других систем уровня предприятия в ближайшие 5 лет. Новые чипы DDR4 имеют самую высокую скорость передачи данных, равную 2667 Мбит/с, что в 1.25 раз выше по сравнению с 20-нм памятью DDR3. При этом энергопотребление чипов DDR4 на 30% меньше по сравнению с DD3.

На базе новой 20-нм памяти DRAM компания Samsung разработала самую обширную линейку продуктов для использования в различных системах: от серверов до мобильных устройств. Заказчики по всему миру будут обеспечены передовыми, энергетически эффективными и высокопроизводительными модулями памяти.