N-канальный MOSFET-транзистор для цепей защиты ионно-литиевых батарей

Корпорация Toshiba представила n-канальный MOSFET-транзистор для цепей защиты ионно-литиевых батарей. Компонент SSM3K324R спроектирован для цепей защиты батарей ноутбуков. Транзистор имеет низкие ёмкость и сопротивление Rds(on), выпускаясь в корпусе с большой теплорассеивающей способностью.

Несмотря на то, что ионно-литиевые решения входят в быстро растущий сегмент на рынке батарей, они не лишены недостатков. Таким батареям для безопасной работы требуются цепи защиты. Модули защиты ограничивают пиковое напряжение каждого элемента аккумуляторной батареи во время зарядки и предотвращают слишком большое падение напряжения во время разряда. Также цепь защиты исключает взрыв батареи. Блоки батарей ноутбуков оснащены подобными цепями, способными распознавать неполадки, в случае которых перегорают встроенные предохранители. В новом компоненте SSM3K324R при сбоях также перегорает предохранитель.

В преемнике популярного компонента SSM3K316T, транзисторе SSM3K324R, используется передовой процесс UMOSVII-H, способствующий значительному снижению заряда затвора и сопротивления открытого состояния, что ведёт к повышению эффективности. Новый n-канальный MOSFET-транзистор выпускается в корпусе SOT-23F (2.9x2.4 мм), имеющем превосходные характеристики рассеивания теплоты.