Биполярные беспробойные транзисторы с изолированным затвором для жёстких промышленных сред

Корпорация Microsemi недавно представила новое поколение 650-В беспробойных биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT). Компоненты имеют номинальный ток: 45, 70 и 95 А. Новая линейка транзисторов спроектирована для работы в жёстких средах. Она особенно удачна для таких промышленных устройств как солнечные инверторы, сварочные аппараты и импульсные блоки питания.

Новые силовые компоненты Microsemi обеспечивают экстремально быстрое переключение с частотой до 150 кГц. Возможно и дальнейшее улучшение работы при включении транзисторов в паре с разрядными диодами из карбида кремния. Беспробойные IGBT-транзисторы позволяют разработчикам снизить итоговую стоимость систем за счёт замены более дорогих 600- и 650-В MOSFET-транзисторов при использовании в системах со скоростью переключения до 150 кГц.

Все 650-В устройства линейки нового поколения основаны на передовой технологии Power MOS 8 с техпроцессом на более тонких полупроводниковых пластинах. Это способствует значительному снижению итоговых потерь на переключении и позволяет устройству работать на больших частотах переключения по сравнению с конкурирующими решениями.

Беспробойные IGBT-транзисторы легко включать параллельно (положительный температурный коэффициент Vcesat) для улучшения надёжности в сильноточных схемах. Компоненты имеют нормированный коэффициент устойчивости при условиях КЗ, гарантируя надёжную работу в жестких промышленных условиях.

IGBT-транзисторы выпускаются в различных корпусах, включая TO-247 и T-MAX.