Модули памяти MROM от Toshiba c многоуровневой структурой ячеек

Корпорация Toshiba показала первую в промышленности память MROM с улучшенными токовыми характеристиками ячеек без увеличения их размеров. Улучшения были достигнуты за счёт применения многоуровневой структуры ячеек, которая также обеспечивает высокоскоростную работу.

Основное назначение модулей MROM – хранение загрузчика либо прошивки. Плотность подобных модулей (выполненных в виде СнК) для смартфонов и планшетов год от года растёт. Для улучшения времени доступа необходимо в каждом новом поколении устройств вдвое сокращать площадь ячеек MROM.

В обычной одноуровневой битовой ячейке MROM вариации при изготовлении увеличиваются по мере развития технологий производства СнК. Сужается канальная площадь транзисторов ячеек. В результате для 40-нм поколения время доступа сокращается по сравнению с предыдущим поколением. Улучшение времени доступа требует больших транзисторов, поскольку большая площадь ячейки обеспечивает более широкую площадь канала.

Toshiba разработала многобитовую ячейку, в которой используется удвоенная площадь стандартной ячейки, за счёт чего втрое увеличивается ширина канала в транзисторе. Это также в 3 раза улучшает токовые характеристики ячейки без каких-либо изменений ёмкости памяти. Таким образом, снижается влияние вариаций во время изготовления на 42%.

Toshiba использовала 40-нм техпроцесс при производстве новых модулей. Решения в виде СнК начнут отгружаться в 2014 году.