Серия высокоскоростных диодов снижает на 30% сопротивление Ron-a

Корпорация Toshiba недавно выпустила свежую линейку высокоскоростных диодов, основанных на 4 поколении 600-В серии MOSFET "DTMOS IV" с суперпереходом. Новые решения компании разработаны для импульсных блоков питания, микроинверторов, адаптеров питания и фотоэлектрических инверторов.

В новой серии используется передовой одиночный эпитаксиальный техпроцесс, благодаря которому снижено сопротивление открытого состояния R_ON-A примерно на 30% по сравнению с существующими продуктами. Новые высокоскоростные диоды достигают времени обратного восстановления, которое приблизительно в 3 раза меньше существующих решений. Всё это ведёт к уменьшенным потерям и повышенной энергетической эффективности.

В серии MOSFET "DTMOS IV" используется одиночный эпитаксиальный процесс, обеспечивающий малое увеличение сопротивления открытого состояния и времени обратного восстановления при высоких температурах. Серия также имеет широкий диапазон сопротивлений открытого состояния (от 0,65 до 0,074 Ом). Помимо этого, она представлена в нескольких вариантах корпусов.