IGBT-транзисторы с номиналами 25, 50 и 70 A для мощных промышленных систем

Корпорация Microsemi выпустила более дюжины устройств, пополнив новое поколение биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), рабочим напряжением 1,2 кВ и отсутствием эффекта смыкания. Номиналы по току у новых компонентов: 25, 50 и 70 А. Согласно разработчику, устройства предназначены для промышленных систем с большой мощностью и высокой производительностью. Это и дуговая сварка, солнечные инверторы, источники бесперебойного питания и импульсные блоки питания.

Все новые компоненты в семействе основаны на передовой технологии Power MOS 8 от Microsemi. Данная технология способствует значительному снижению (по меньшей мере, на 20%) суммарных потерь на переключении и проводимости, если сравнивать с конкурирующими решениями. Новые IGBT-транзисторы могут выпускаться совместно с FRED-диодами либо карбидокремниевыми диодами Шоттки, представляя инженерам высокоинтегрированное решение, позволяющее рационализировать усилия при разработке продукта.

Новые компоненты претендуют на значительное снижение заряда затвора по сравнению с аналогичными устройствами, что способствует более быстрому переключению с частотами свыше 80 кГц для более эффективного преобразования энергии. Транзисторы легко включить параллельно (положительный температурный коэффициент Vcesat) для повышения надёжности в мощных каскадах. Транзисторы имеют устойчивость к КЗ, позволяя использовать их в схемах, где возможна такая ситуация.

Компания предлагает IGBT-транзисторы в виде больших корпусов D3 с поверхностным монтажом, позволяя проектировщикам достичь повышенных показателей плотности мощности и меньших производственных затрат. IGBT-транзисторы доступны также в корпусах TO-247, T-MAX, TO-264 и SOT-227.