Toshiba выпускает TK55S10N1 n-канальный силовой MOSFET-транзистор с низким сопротивлением открытого состояния

Японский поставщик электроники Toshiba недавно представил 100-В силовой MOSFET-транзистор с низким сопротивлением открытого состояния и небольшими утечками.

Свежее решение выполнено по передовому техпроцессу TrenchMOS. Компонент является пополнением линейки для автомобильной электроники.

Новый продукт компании TK55S10N1 помимо низкого сопротивления открытого состояния входит в серию U-MOS VIII-H series, выпускаемую по техпроцессу TrenchMOS 8 поколения в корпусе DPAK+ с медными разъёмами. Основная сфера использования транзистора – автомобильные цепи, особенно те, где требуется высокоскоростное переключение, например в импульсных стабилизаторах.

Образцы TK55S10N1 доступны для заказа, выпуск серийных партий намечен на апрель 2013 года.