SSM6N58NU сдвоенный n-канальный MOSFET-транзистор для DC/DC-преобразователей мобильных устройств

Корпорация Toshiba недавно выпустила сдвоенные n-канальные MOSFET-транзисторы с низкой ёмкостью. Компонент SSM6N58NU создан для скоростных переключателей в сильноточных цепях заряда мобильных устройств, таких как смартфоны и планшеты.

Добавлены дополнительные функции для использования компонента в схемах мобильных устройств: смартфонов, сотовых телефонов, планшетов и ноутбуков. Растут требования к батареям таких устройств. Определённые усилия вкладываются в то, чтобы снизить время подзарядки за счёт усиления зарядной плотности, значительного повышения тока и частоты заряда.

SSM6N58NU от Toshiba – это самое свежее дополнение в линейку сдвоенных n-канальных MOSFET-транзисторов, созданных для высокоскоростных переключателей в цепях заряда с высоким током.