Toshiba представляет технологию с низким энергопотреблением для встраиваемой памяти SRAM

Корпорация Toshiba представила технологию с низким энергопотреблением для встраиваемой памяти SRAM, используемой в смартфонах и других мобильных устройствах.

Согласно разработчику, технология снижает потребляемую мощность в активном и ожидающем режиме при диапазоне температур от комнатной до высокой, используя калькулятор мощности разрядной шины (BLPC) и управляемую цифровым методом цепь задержки (DCRC). Испытание прототипа подтвердило снижение потребляемой мощности в активном и пассивном режимах при комнатной температуре на 27% и 85%, соответственно.

Повышенное время разряда батареи требует меньшего энергопотребления как в режиме высокой производительности, так и в режиме простоя (воспроизведение mp3-файлов, фоновые процессы). Так как приложения с низкой производительностью требуют лишь десятки МГц, то температура памяти SRAM остается на уровне комнатной. При этом активное питание и утечки находятся примерно на одном уровне. Исходя из этого, теперь требуется снизить температуру при потреблении в активном режиме, а также в режиме ожидания с высокой до комнатной.

В технологии от Toshiba применяется ранее упомянутые калькулятор BLPC и цепь DCRC. BLPC предсказывает уровень энергопотребления разрядных шин за счёт использования реплицированных шин для наблюдения за частотой кольцевого генератора. Это минимизирует активное энергопотребление памяти SRAM в заданных условиях за счёт мониторинга потребления тока её цепей. Цепь DCRC значительно снижает потребление в режиме ожидания на цепи задержки за счёт периодической самоактивации с целью обновления размера буфера в драйвере задержки.

Toshiba продолжит разрабатывать технологии, за счёт которых достигается высокая производительность и низкое энергопотребление мобильных устройств.