Новые MOSFET-транзисторы Renesas с пониженным на 50% сопротивлением открытого состояния

27.02.2013

Корпорация Renesas Electronics, являющаяся поставщиком полупроводниковых решений, недавно представила 3 MOSFET-транзистора (включая µPA2766T1A) с низким сопротивлением открытого состояния.

Корпорация Renesas Electronics, являющаяся поставщиком полупроводниковых решений, недавно представила 3 MOSFET-транзистора (включая µPA2766T1A) с низким сопротивлением открытого состояния. Компоненты оптимизированы для использования в качестве объединённых по принципу логического «ИЛИ» транзисторов в блоках питания серверов и систем хранения данных.

Имея сопротивление открытого состояния порядка 0,72 мОм (типичное значение) при напряжении 30 В (что примерно на 50% ниже по сравнению с предыдущими продуктами Renesas), высокий КПД, небольшой корпус с поверхностным монтажом (8-контактный HVSON), новые компоненты позволяют управлять более высоким током при меньшем корпусе, что ведёт к экономии расхода питания и миниатюризации питающих схем, используемых в относительно больших серверных системах хранения данных.

В критически-важных системах принято проектировать избыточное питание, т.е. объединять множество блоков питания по принципу «ИЛИ», поддерживая высокий уровень надёжности для серверных систем хранения данных. Такие объединённые транзисторы соединены с выходными линиями каждого модуля питания. Данные компоненты остаются в открытом состоянии во время нормального режима работы, но если один из модулей питания даёт сбой, объединённые транзисторы данного модуля закрываются для изоляции его от остальных модулей с исключением риска прерывания работы питаемой системы.

Во время обычной работы, выходные линии модулей работают с большими токами от нескольких десятков до сотен ампер. Объединённые по принципу «ИЛИ» транзисторы должны иметь малое сопротивление для предотвращения увеличения диэлектрических потерь на электропроводности и для исключения риска падения мощности в схеме питания. Исходя из данных соображений, Renesas разработала тройку MOSFET-транзисторов, основанных на новом процессе производства компонентов с низким сопротивлением открытого состояния. Новые устройства µPA2764T1A, µPA2765T1A и µPA2766T1A созданы соответствующим образом, предлагая на базе малого форм-фактора решения с малым сопротивлением для схем питания.

Образцы новых MOSFET-транзисторов доступны для заказа. Стоимость образцов варьируется в зависимости от модели: µPA2764T1A – 1,2 долл., µPA2765T1A – 1 долл. и µPA2766T1A – 1,8 долл. (стоимости за шт.).



Наши новости один раз в неделю на ваш емайл
Подписаться на почтовую рассылку / Авторам сотрудничество
ТМ Электроникс



Электронные компоненты и радиодетали - Подробный каталог компонентов с фото, наличием и ценой. Удобный поиск. Экспресс доставка.
Подробный каталог компонентов с фото, наличием и ценой. Удобный поиск. Экспресс доставка.
Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.


Новости электроники

Еще новости

В архив даташитов сегодня добавили