Силовые MOSFET-транзисторы с сопротивлением открытого состояния 20 мОм

Vishay Intertechnology Inc. выпустила 8- и 20-вольтовые n- и p-канальные силовые MOSFET-транзисторы, выполненные по технологии TrenchFET. Согласно разработчику, устройства имеют самое низкое в индустрии сопротивление открытого состояния, выпускаясь в корпусах CSP MICRO FOOT с размерами 1 х 1 х 0,55 мм и 1,6 х 1,6 х 0,6 мм.

Силовые MOSFET-транзисторы разработаны для коммутации нагрузки и батарей в схемах управления питанием портативной электроники: смартфонах, планшетах и мобильных компьютерных устройствах. Компактные размеры компонентов экономят место на печатной плате, а плоский профиль способствует разработке более тонких и легких портативных устройств. Низкое сопротивление открытого состояния ведёт к снижению потерь на коммутации, способствуя понижению потребляемого питания и увеличению времени между подзарядками батареи. Также низкое сопротивление означает меньшее падение напряжения на коммутации нагрузки для предотвращения нежелательной блокировки от недостатка напряжения.

Для схем, где низкое сопротивление открытого состояния важнее размеров, 8-В n-канальный компонент Si8424CDB и 20-В p-канальный Si8425DB имеют сопротивление 20 и 23 мОм, соответственно, при напряжении затвора 4,5 В. Компоненты выпускаются в корпусах CSP (1,6 х 1,6 х 0,6 мм). Имея максимальное сопротивление открытого состояния 43 мОм при напряжении затвора 4,5 В, меньший по размеру 8-В n-канальный MOSFET-транзистор Si8466EDB (1 х 1 х 0,55 мм) будет использоваться в схемах, где свободное пространство более критично, чем сопротивление. Компонент Si8466EDB также имеет 3 кВ защиту от электростатического пробоя.

Транзисторы Si8466EDB и Si8424CDB имеют номиналы до 1,2 В, позволяя работать с меньшими напряжениями затвора и напряжениями шин, которые используются в мобильных устройствах. При этом уменьшаются размеры и стоимость схем смещения уровня. Все новые компоненты соответствуют нормам RoHS (директива 2011/65/EU), не содержат галогены согласно определениям JEDEC JS709A.

Образцы и серийные партии новых MOSFET-транзисторов доступны для заказа со временем доставки 12-14 недель (для больших партий).