Диоды защиты от электростатического разряда с поддержкой высокоскоростных шин данных

Корпорация Toshiba расширила портфолио серии высокоскоростных диодов защиты от электростатического разряда компонентами DF6D7M1N (2-битный) и DF10G7M1N (4-битный). Согласно разработчику, устройства содержат множество диодов, поддерживая при этом качество прохождения сигнала за счёт низко-индукционной неразрывной компоновки.

Разработанные для защиты от электростатического разряда в схемах USB 3.0 и прочих интерфейсов, многоразрядные компоненты с неразрывным типом имеют низкое напряжение смещения 12 В (типичное) в соответствии с нормами IEC61000-4-5 (ток I[PP] = 1 А). Новые решения также подойдут для высокоскоростных сигнальных линий (C[t]=0.3 пФ). Имея уровень электростатической защиты в ±8 кВ в соответствии с IEC61000-4-2 (для контактов), диод DF6D7M1N выпускается в корпусе DFN6 (1,25 x 1 x 0,5 мм), в то время, как DF10G7M1N – в корпусе DFN10 (2,5 х 1 х 0,5).

Образцы доступны для заказа. Серийное производство было запланировано на конец декабря 2012 года. Даташиты доступны на нашем сайте: DF6D7M1N и DF10G7M1N.