Si7655DN P-канальный MOSFET-транзистор с сопротивлением 4,8 мкОм при напряжении затвора 4,5 В
Vishay Intertechnology анонсировала первый в промышленности 20-вольтовый p-канальный полевой МОП-транзистор (MOSFET) в корпусе с размерами 3,3 х 3,3 мм. Транзистор имеет максимальное сопротивление в открытом состоянии 4,8 мкОм при напряжении затвора 4,5 В.
Компонент Si7655DN – это первое устройство, которое выйдет в корпусе Siliconix PowerPAK 1212 от Vishay, благодаря которому возможно использование низких сопротивлений Rds(on) при уменьшении номинального профиля на 28% (0,75 мм) и применение прежнего способа посадки на печатную плату.
Сфера применения компонента Si7655DN включает схемы переключения нагрузки и горячей замены в промышленных системах; переключение нагрузки в адаптерах, аккумуляторных батареях и цепях подзарядки; управление питанием в смартфонах, планшетах и другой мобильной электронике. Устройство может также использоваться для переключателей резерва, контролирующих систем и оборудования, работающего по принципу логического ИЛИ, в телекоммуникациях, базовых станциях сотовых сетей и серверах/рабочих станциях.
Использование корпуса PowerPAK 1212 и p-канальной технологии Vishay Siliconix 3-го поколения способствует тому, что компонент Si7655DN претендует на самое низкое сопротивление в открытом состоянии порядка 3,6 мкОм (-10 В), 4,8 мкОм (-4,5 В) и 8,5 мкОм (-2,5 В). Данные спецификации показывают 17-процентное (и выше) улучшение по сравнению с лучшими 20-вольтовыми конкурирующими устройствами.
Низкое сопротивление Si7655DN позволит проектировщикам достичь более низких падений напряжения в цепях и более эффективного использования питания, что увеличит автономность при работе от батарей.
Образцы и производственные партии Si7655DN доступны для заказа. Время выполнения заказов от 12 до 14 недель.
Даташит на компонент Si7655DN доступен на нашем сайте.
Подписаться на почтовую рассылку / Авторам сотрудничество
