Решения на основе карбида кремния от Fairchild способствуют повышенной надёжности

Fairchild Semiconductor анонсировала решения на основе технологии карбида кремния (SiC), которые согласно производителю, разработаны для схем преобразования питания. Среди первых выпускаемых продуктов по данной технологии линейка биполярных транзисторов (BJT), которая претендует на высокий КПД, сильноточную плотность, надёжность и простую работу на высоких температурах.

Исключительная эффективность биполярных транзисторов на карбиде кремния способствует большим частотам переключения вследствие пониженных потерь проводимости и коммутации (в диапазоне от 30 до 50%), что ведёт к увеличению выходной мощности на 40% при использовании того же форм-фактора.

Благодаря возможности использования меньших по размеру катушек, конденсаторов и радиаторов охлаждения в связке с новыми транзисторами достигается снижение итоговой стоимости на величину порядка 20%. С характеристиками, которые показывают более высокий КПД, безопасность работы при КЗ и обратном токе, новые карбид-кремниевые транзисторы BJT сыграют важную роль в оптимизации управления питанием в мощных преобразователях.

Fairchild также разработал дискретные платы с драйверами и режимом PnP (15- и 50-амперные версии), которые в сочетании с новыми транзисторами BJT не только увеличивают частоту переключения при снижении потерь и большей надёжности, но и позволяет проектировщикам легко внедрять новую технологию SiC в своих схемах.

Согласно разработчику, новые решения являются самыми эффективными 1,2-кВ переключателями в схемах преобразования питания, поскольку они имеют самые низкие суммарные потери, включая потери на коммутацию и проводимость. При этом у компонентов самые низкие в индустрии потери на переключении при любом заданном сопротивлении R_on. Дополнительно, особенность обычного режима работы в запертом состоянии снижает риски, сложность и ограничения по характеристикам схемы, гарантируя стабильный входной ток на базе, независимо от скачков напряжения.

Fairchild отметила, что устройства могут работать при высоких рабочих температурах перехода до 175 °C при возможности параллельного включения за счёт положительного температурного коэффициента для сопротивления R_on и отрицательного температурного коэффициента для усиления. Также, компоненты имеют стабильное прямое напряжение V_be с возможностью блокировки обратного тока.

Транзисторы BJT в корпусах TO-247 доступны для заказа партиями от 1 тыс. шт. Инженерные образцы доступны для ограниченных клиентов.