Cadence разрабатывает тестовый кристалл для 14-нм техпроцесса SOI FinFET

В качестве подтверждения многолетнего партнёрства с ARM и IBM, компания Cadence Design Systems анонсировала разработку тестового кристалла для процессора. Кристалл будет внедрён в 14-нм технологическом процессе кремния на изоляторе FinFET (SOI). Главным образом, новый чип будет заниматься проверкой интеллектуальной собственности и параметров проектирования.

Помимо ядра на основе ARM-архитектуры, новое решение включает память SRAM и другие блоки цепей. Данные измерений тестового кристалла представят характеристики, необходимые при разработке физических структур FinFET от ARM. Дизайн включает поддержку двойного формирования рельефа литографии.

– Передача в производство 14-нм тестовых чипов – это кульминация существенного прогресса, которого мы достигли при использовании FinFET и SOI со встроенной диэлектрической изоляцией, ¬– говорит Гэри Паттон, вице-президент центра исследований и разработки IBM Semiconductor.

Чип разработан при использовании цифровых инструментов проектирования Cadence Encounter и стандартных библиотек логических элементов FinFET, разработанных с помощью инструментов Cadence Virtuoso.