Технология 50-вольтовых ВПЭ-транзисторов из нитрида галлия снижает потребляемую мощность сотовых сетей

Компания Cree анонсировала ряд 50-вольтовых транзисторов из нитрида галлия с высокой подвижностью электронов (ВПЭ). По словам разработчика, устройства позволяют значительно снизить количество энергии, необходимое для питания сотовых сетей. Ориентировочно, сотовые сети во всём мире потребляют более 100 ТВт электричества в год. При этом 50-80% питания потребляется усилителями мощности и питающей инфраструктурой.

При использовании инновационной технологии от Cree, усилители мощности базовых станций продемонстрировали улучшения производительности на 20% по сравнению с текущей технологией при частоте 2,6 ГГц и самых свежих стандартах сигналов 4G LTE. Повышенная эффективность усилителя мощности смогла бы сэкономить порядка 10 ТВт потребляемой мощности в год, что является эквивалентом выходной мощности двух АЭС.

В то время, как экономия на эксплуатационных затратах за счёт увеличенной эффективности может быть довольно значимой, дополнительная существенная экономия также возможна за счёт первоначальной стоимости системы. Большая эффективность усилителя мощности может помочь сборщикам оригинального оборудования сэкономить капитальные затраты на оборудовании благодаря упрощённому охлаждению, а также за счёт того, что компоненты из нитрида галлия с повышенным напряжением могут способствовать снижению цены преобразователей питания переменного и постоянного тока. В итоге, на окончательной спецификации достигается 10-процентная экономия, ведущая к значительному снижению конечной стоимости системы.

Новые 50-вольтовые ВПЭ-транзисторы из нитрида галлия имеют выходную мощность 100 либо 200 Вт. Выпускаются версии как для частотного диапазона 1,8 – 2,2 ГГц, так и 2,5 – 2,7 ГГц. Устройства имеют внутреннее согласование для оптимальной производительности, позволяя работать в широкой полосе частот. Транзисторы от Cree разработаны для высокоэффективных усилителей мощности Догерти с уровнем усиления более 18 дБ на частоте 2,14 ГГц и 16 дБ – на 2,6 ГГц.

Образцы новых транзисторов доступны для заказа. Серийные партии ожидаются в ноябре.